一种碳化硅晶片的清洗方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411987945.7

申请日：

2024-12-31

公开(公告)号：

CN119764161A

公开(公告)日：

2025-04-04

发明(设计)人：

郑娜宋贤震刘欣宇袁振洲

申请人：

江苏超芯星半导体有限公司

申请人地址：

210000 江苏省南京市中国（江苏）自由贸易试验区南京片区研创园团结路99号孵鹰大厦2189室

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

B08B11/00 B08B3/08 B08B3/12

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

宫美玲

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-04	公开	公开
2025-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20241231

共 50 条

[1]

碳化硅晶片单面清洗机和碳化硅晶片的清洗方法 [P].

贺贤汉 ;

张城 ;

陈有生 ;

赖章田 .

中国专利 :CN115463876A ,2022-12-13

[2]

一种碳化硅晶片的清洗方法和清洗后碳化硅晶片 [P].

李文文 ;

宋贤震 ;

袁振洲 ;

刘欣宇 .

中国专利 :CN119725077A ,2025-03-28

[3]

一种碳化硅晶片的清洗方法 [P].

秦莉 ;

陈文 ;

邹宇 ;

张平 ;

李秀丽 ;

彭同华 ;

杨建 .

中国专利 :CN117352372A ,2024-01-05

[4]

一种清洗碳化硅晶片的方法 [P].

田辉 ;

林宏达 ;

翟虎 ;

宋亚滨 .

中国专利 :CN116092918B ,2025-12-30

[5]

碳化硅晶片表面清洗方法 [P].

徐良 ;

朱振佳 ;

蓝文安 ;

杨新鹏 ;

占俊杰 ;

刘建哲 ;

余雅俊 ;

郭炜 ;

叶继春 ;

夏建白 .

中国专利 :CN111816549A ,2020-10-23

[6]

一种碳化硅晶片清洗方法 [P].

贺贤汉 ;

赖章田 ;

陈有生 .

中国专利 :CN115376892A ,2022-11-22

[7]

碳化硅晶片的复合清洗剂、清洗方法与清洗后碳化硅晶片 [P].

刘欣宇 ;

袁振洲 ;

詹琳 .

中国专利 :CN119463975A ,2025-02-18

[8]

一种碳化硅晶片的清洗方法 [P].

时文灵 ;

梁庆瑞 ;

王含冠 ;

王瑞 .

中国专利 :CN109585268B ,2019-04-05

[9]

一种碳化硅晶片的清洗方法 [P].

沈梦涵 ;

浩瀚 ;

赵新田 ;

余胜军 ;

覃振堂 ;

吴思波 ;

杨水艳 .

中国专利 :CN121148990A ,2025-12-16

[10]

碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

甄明玉 ;

沈钟珉 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

韩国专利 :CN112746324B ,2024-04-30

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