一种碳化硅晶片的清洗方法和清洗后碳化硅晶片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411871401.4

申请日：

2024-12-18

公开(公告)号：

CN119725077A

公开(公告)日：

2025-03-28

发明(设计)人：

李文文宋贤震袁振洲刘欣宇

申请人：

江苏超芯星半导体有限公司

申请人地址：

210000 江苏省南京市中国（江苏）自由贸易试验区南京片区研创园团结路99号孵鹰大厦2189室

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

C11D1/83 C11D3/28 C11D3/37 C11D3/00 C11D3/04 C11D3/10 C11D1/04 C11D1/22 C11D1/66

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

崔永永

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-28	公开	公开
2025-04-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20241218

共 50 条

[1]

碳化硅晶片的复合清洗剂、清洗方法与清洗后碳化硅晶片 [P].

刘欣宇 ;

袁振洲 ;

詹琳 .

中国专利 :CN119463975A ,2025-02-18

[2]

碳化硅晶片单面清洗机和碳化硅晶片的清洗方法 [P].

贺贤汉 ;

张城 ;

陈有生 ;

赖章田 .

中国专利 :CN115463876A ,2022-12-13

[3]

碳化硅晶片清洗装置 [P].

徐良 ;

曹力力 ;

蓝文安 ;

刘建哲 ;

余雅俊 ;

夏建白 ;

李京波 ;

郭炜 ;

叶继春 .

中国专利 :CN211757266U ,2020-10-27

[4]

一种碳化硅晶片的清洗方法 [P].

时文灵 ;

梁庆瑞 ;

王含冠 ;

王瑞 .

中国专利 :CN109585268B ,2019-04-05

[5]

碳化硅晶片表面清洗方法 [P].

徐良 ;

朱振佳 ;

蓝文安 ;

杨新鹏 ;

占俊杰 ;

刘建哲 ;

余雅俊 ;

郭炜 ;

叶继春 ;

夏建白 .

中国专利 :CN111816549A ,2020-10-23

[6]

一种碳化硅晶片清洗方法 [P].

贺贤汉 ;

赖章田 ;

陈有生 .

中国专利 :CN115376892A ,2022-11-22

[7]

碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

甄明玉 ;

沈钟珉 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

韩国专利 :CN112746324B ,2024-04-30

[8]

碳化硅晶片以及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

甄明玉 ;

沈钟珉 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

中国专利 :CN112746324A ,2021-05-04

[9]

碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

沈钟珉 ;

梁殷寿 ;

李演湜 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

中国专利 :CN112746317A ,2021-05-04

[10]

碳化硅晶片、碳化硅晶锭及碳化硅晶片的制备方法 [P].

朴钟辉 ;

沈钟珉 ;

梁殷寿 ;

李演湜 ;

张炳圭 ;

崔正宇 ;

高上基 ;

具甲烈 ;

金政圭 .

韩国专利 :CN112746317B ,2024-05-31

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