碳化硅晶片清洗装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201922207328.1

申请日：

2019-12-10

公开(公告)号：

CN211757266U

公开(公告)日：

2020-10-27

发明(设计)人：

徐良曹力力蓝文安刘建哲余雅俊夏建白李京波郭炜叶继春

申请人：

申请人地址：

321000 浙江省金华市南二环西路2688号

IPC主分类号：

B08B312

IPC分类号：

B08B1300 H01L2167

代理机构：

北京辰权知识产权代理有限公司 11619

代理人：

董李欣

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-29	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):B08B 3/12 登记生效日:20220415 变更事项:专利权人变更前权利人:浙江博蓝特半导体科技股份有限公司变更后权利人:浙江富芯微电子科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:321000 浙江省金华市南二环西路2688号变更后权利人:321000 浙江省金华市婺城区秋滨街道南二环西路2688号3#厂房（自主申报）
2020-10-27	授权	授权

共 50 条

[1]

一种碳化硅晶片表面清洗装置 [P].

贺贤汉 ;

赖章田 ;

陈有生 ;

张城 .

中国专利 :CN216880709U ,2022-07-05

[2]

碳化硅晶片退火装置 [P].

夏海洋 ;

刘少晗 ;

张旭 .

中国专利 :CN222251130U ,2024-12-27

[3]

碳化硅晶片检查装置 [P].

刘素娟 ;

刘振洲 ;

鲍慧强 ;

刘雪梅 ;

叶欣怡 ;

王增泽 ;

杨帅 ;

李宪宾 ;

赵然 .

中国专利 :CN217931449U ,2022-11-29

[4]

碳化硅晶片单面清洗机和碳化硅晶片的清洗方法 [P].

贺贤汉 ;

张城 ;

陈有生 ;

赖章田 .

中国专利 :CN115463876A ,2022-12-13

[5]

一种单晶碳化硅晶片的清洗装置 [P].

沈泽康 ;

陈晓静 .

中国专利 :CN211757120U ,2020-10-27

[6]

碳化硅衬底、碳化硅晶片、碳化硅半导体装置 [P].

上东秀幸 .

日本专利 :CN118374882A ,2024-07-23

[7]

碳化硅晶片的复合清洗剂、清洗方法与清洗后碳化硅晶片 [P].

刘欣宇 ;

袁振洲 ;

詹琳 .

中国专利 :CN119463975A ,2025-02-18

[8]

碳化硅晶片表面清洗方法 [P].

徐良 ;

朱振佳 ;

蓝文安 ;

杨新鹏 ;

占俊杰 ;

刘建哲 ;

余雅俊 ;

郭炜 ;

叶继春 ;

夏建白 .

中国专利 :CN111816549A ,2020-10-23

[9]

一种碳化硅晶片的清洗方法和清洗后碳化硅晶片 [P].

李文文 ;

宋贤震 ;

袁振洲 ;

刘欣宇 .

中国专利 :CN119725077A ,2025-03-28

[10]

碳化硅晶体及碳化硅晶片 [P].

林钦山 .

中国专利 :CN117364247A ,2024-01-09

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