反熔丝存储装置、存储阵列及反熔丝存储装置的编程方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111354685.6

申请日：

2021-11-16

公开(公告)号：

CN114649041B

公开(公告)日：

2025-04-08

发明(设计)人：

李玠泽颜鼎洋黄正达林俊宏

申请人：

力旺电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

G11C17/16

IPC分类号：

G11C8/08 H10B20/25

代理机构：

深圳新创友知识产权代理有限公司 44223

代理人：

江耀纯

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-08	授权	授权

共 50 条

[1]

反熔丝存储装置、存储阵列及反熔丝存储装置的编程方法 [P].

李玠泽 ;

颜鼎洋 ;

黄正达 ;

林俊宏 .

中国专利 :CN114649041A ,2022-06-21

[2]

反熔丝存储装置 [P].

保罗·范德斯勒伊斯 ;

安德烈·米希里特斯科伊 ;

皮埃尔·H·沃尔里 ;

维克托·M·G·范艾科特 ;

尼古拉斯·兰伯特 .

中国专利 :CN101180684A ,2008-05-14

[3]

反熔丝存储装置 [P].

张家福 ;

林俊宏 ;

彭任佑 ;

庄又叡 .

中国专利 :CN118042836A ,2024-05-14

[4]

反熔丝及存储装置 [P].

王文轩 ;

沈健 ;

王红超 ;

周红星 .

中国专利 :CN208637426U ,2019-03-22

[5]

反熔丝、反熔丝的制造方法以及存储装置 [P].

王文轩 ;

沈健 ;

王红超 ;

周红星 .

中国专利 :CN109075153A ,2018-12-21

[6]

反熔丝结构及其制作方法、反熔丝阵列、存储装置 [P].

黄金荣 .

中国专利 :CN114582835B ,2022-06-03

[7]

反熔丝存储器及半导体存储装置 [P].

谷口泰弘 ;

葛西秀男 ;

川嶋泰彦 ;

樱井良多郎 ;

品川裕 ;

奥山幸祐 .

中国专利 :CN107112326A ,2017-08-29

[8]

反熔丝存储阵列以及反熔丝存储器 [P].

任雪 .

中国专利 :CN119889403A ,2025-04-25

[9]

反熔丝单元、反熔丝阵列结构及反熔丝存储器件 [P].

廖淼 .

中国专利 :CN118969764A ,2024-11-15

[10]

反熔丝阵列结构以及反熔丝存储器件 [P].

窦心愿 .

中国专利 :CN119008584A ,2024-11-22

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