半導体装置、半導体装置の製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20230150492

申请日：

2023-09-15

公开(公告)号：

JP2025043152A

公开(公告)日：

2025-03-28

发明(设计)人：

SUZUKI KEI FUJINO SHINICHI KUBOKI TAKASHI

申请人：

HITACHI ASTEMO LTD

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L25/07

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

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法律状态信息

共 50 条

[1]

半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2025179592A ,2025-12-10

[2]

半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015141384A1 ,2017-04-06

[3]

半導体製造方法及び半導体装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2006111804A1 ,2008-11-20

[4]

半導体装置の製造方法[ja] [P].

KITAICHI YUKIHIRO ;

SUGIURA MASATOSHI ;

TAMIMOTO HIDEAKI ;

MAEDA TAKEHIKO ;

TAKADA KEITA ;

KYOGOKU YOSHITAKA .

日本专利 :JP2023172171A ,2023-12-06

[5]

半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2019082344A1 ,2020-04-16

[6]

半導体装置および半導体装置の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020136805A1 ,2021-10-07

[7]

半導体部品の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022150414A ,2022-10-07

[8]

半導体部品の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022144070A ,2022-10-03

[9]

半導体装置、半導体装置の製造方法および電力変換装置[ja] [P].

日本专利 :JPWO2020174584A1 ,2021-03-11

[10]

半導体装置、半導体装置の製造方法および電力変換装置[ja] [P].

日本专利 :JP6575739B1 ,2019-09-18

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