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半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20240086442
申请日
:
2024-05-28
公开(公告)号
:
JP2025179592A
公开(公告)日
:
2025-12-10
发明(设计)人
:
申请人
:
申请人地址
:
IPC主分类号
:
H01L23/29
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[1]
半導体装置、及び、半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015049773A1
,2017-03-09
[2]
半導体装置、及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5658425B1
,2015-01-28
[3]
半導体装置、及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015045054A1
,2017-03-02
[4]
半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020255773A1
,2021-10-21
[5]
半導体装置、及び、半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP5658426B1
,2015-01-28
[6]
半導体装置及び半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2015141384A1
,2017-04-06
[7]
半導体装置、及び、半導体装置の製造方法[ja]
[P].
OMURA YUYA
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
KIOXIA CORP
KIOXIA CORP
OMURA YUYA
.
日本专利
:JP2024043345A
,2024-03-29
[8]
半導体製造方法及び半導体装置[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2006111804A1
,2008-11-20
[9]
半導体装置、半導体装置の製造方法[ja]
[P].
SUZUKI KEI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
HITACHI ASTEMO LTD
HITACHI ASTEMO LTD
SUZUKI KEI
;
FUJINO SHINICHI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
HITACHI ASTEMO LTD
HITACHI ASTEMO LTD
FUJINO SHINICHI
;
KUBOKI TAKASHI
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
HITACHI ASTEMO LTD
HITACHI ASTEMO LTD
KUBOKI TAKASHI
.
日本专利
:JP2025043152A
,2025-03-28
[10]
半導体装置および半導体装置の製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020136805A1
,2021-10-07
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