一种单片集成光发射芯片及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411939831.5

申请日：

2024-12-26

公开(公告)号：

CN119742660A

公开(公告)日：

2025-04-01

发明(设计)人：

赵自闯蒋晨龙

申请人：

武汉国科光领半导体科技有限公司

申请人地址：

430200 湖北省武汉市东湖新技术开发区流芳园横路1号楚天传媒生产基地二期1号楼1-2层

IPC主分类号：

H01S5/40

IPC分类号：

H01S5/10

代理机构：

北京律谱知识产权代理有限公司 11457

代理人：

黄云铎

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-01	公开	公开
2025-08-15	授权	授权
2025-04-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01S 5/40申请日:20241226

共 50 条

[1]

一种单片集成光发射芯片及其制作方法 [P].

赵自闯 ;

蒋晨龙 .

中国专利 :CN119742660B ,2025-08-15

[2]

一种光发射芯片的制作方法和光发射芯片 [P].

刘宇翔 ;

周代兵 ;

陆丹 ;

梁松 ;

赵玲娟 ;

王圩 .

中国专利 :CN112821197A ,2021-05-18

[3]

用于光时分复用系统的单片集成光发射器的制作方法 [P].

赵谦 ;

潘教青 ;

张靖 ;

王圩 .

中国专利 :CN1905297A ,2007-01-31

[4]

基于量子通信应用的电吸收光发射芯片及其制作方法 [P].

张石宝 ;

刘建宏 ;

冯斯波 ;

刘军 .

中国专利 :CN111129944A ,2020-05-08

[5]

飞秒激光直写波导耦合的单片集成光发射芯片 [P].

李明 ;

谢毓俊 ;

李昂 ;

杨梦涵 ;

金烨 ;

屈扬 ;

王道发 ;

李伟 ;

祝宁华 ;

苏辉 .

中国专利 :CN117878717B ,2024-05-14

[6]

飞秒激光直写波导耦合的单片集成光发射芯片 [P].

李明 ;

谢毓俊 ;

李昂 ;

杨梦涵 ;

金烨 ;

屈扬 ;

王道发 ;

李伟 ;

祝宁华 ;

苏辉 .

中国专利 :CN117878717A ,2024-04-12

[7]

一种单片集成微型透镜及其制作方法 [P].

蔡道民 ;

李献杰 ;

曾庆明 ;

高向芝 ;

尹顺政 ;

赵永林 .

中国专利 :CN101504468A ,2009-08-12

[8]

光发射组件及其制作方法 [P].

庄礼杰 ;

苏怡衡 ;

杨朝屏 ;

万治纬 .

中国专利 :CN110178065A ,2019-08-27

[9]

一种高速防串扰集成芯片及其制作方法 [P].

祝进田 .

中国专利 :CN120414265A ,2025-08-01

[10]

一种高速防串扰集成芯片及其制作方法 [P].

祝进田 .

中国专利 :CN120414265B ,2025-08-26

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