一种硅晶圆抛光方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411960917.6

申请日：

2024-12-30

公开(公告)号：

CN119772662A

公开(公告)日：

2025-04-08

发明(设计)人：

王辰伟雷双双李星李仕权

申请人：

江苏山水半导体科技有限公司

申请人地址：

214203 江苏省无锡市宜兴市屺亭街道凯旋路19号

IPC主分类号：

B24B1/00

IPC分类号：

B24B37/04 B24B37/24 C09G1/16

代理机构：

常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231

代理人：

厉丹彤

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):B24B 1/00申请日:20241230
2025-04-08	公开	公开

共 50 条

[1]

双面抛光方法及双面抛光硅晶圆 [P].

吉田容辉 ;

田中佑宜 .

日本专利 :CN117561143A ,2024-02-13

[2]

硅晶圆的抛光方法 [P].

松田修平 .

中国专利 :CN110800085A ,2020-02-14

[3]

一种硅晶圆衬底快速绿色环保双面抛光方法 [P].

钱金龙 ;

王堃 ;

吴胜文 ;

黄华翠 .

中国专利 :CN112908834A ,2021-06-04

[4]

一种硅通孔晶圆表面铜层的抛光方法以及基于该抛光方法的一种抛光面铜后硅通孔晶圆 [P].

武洋 ;

陈雷达 ;

潘松 ;

武忙虎 ;

何亨洋 ;

杨敏子 .

中国专利 :CN117374006A ,2024-01-09

[5]

硅晶圆的精抛光方法以及使用该抛光方法抛光的硅晶圆 [P].

佐藤三千登 .

中国专利 :CN106663621A ,2017-05-10

[6]

一种晶圆抛光方法 [P].

周志豪 ;

莫康 ;

张鑫 ;

孙家宝 .

中国专利 :CN117620865A ,2024-03-01

[7]

一种用于单晶硅晶圆的激光辅助抛光方法 [P].

管迎春 ;

李欣欣 ;

崔智铨 .

中国专利 :CN113967872A ,2022-01-25

[8]

硅晶圆的最终抛光方法和最终抛光装置 [P].

郑加镇 .

中国专利 :CN109648451A ,2019-04-19

[9]

硅晶圆抛光制程方法 [P].

李彬 ;

贺贤汉 ;

金文明 ;

余图斌 .

中国专利 :CN102773790A ,2012-11-14

[10]

晶圆抛光装置、晶圆抛光系统以及晶圆抛光方法 [P].

王同庆 ;

王春龙 ;

张美洁 .

中国专利 :CN117464552A ,2024-01-30

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