多层电子组件和制造多层电子组件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411380942.7

申请日：

2024-09-30

公开(公告)号：

CN119786260A

公开(公告)日：

2025-04-08

发明(设计)人：

边圭泰申承浩金知姸全圭午

申请人：

三星电机株式会社

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01G4/30

IPC分类号：

H01G4/005 H01G4/12 H01G4/002 H01G13/00

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

薛丞丞;王锐

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-08	公开	公开

共 50 条

[1]

多层电子组件和制造多层电子组件的方法 [P].

朴债元 ;

崔亨综 ;

李忠垠 ;

金容敏 ;

李相贤 ;

许才恩 .

韩国专利 :CN120376338A ,2025-07-25

[2]

多层电子组件和制造多层电子组件的方法 [P].

金泰亨 ;

朴文秀 ;

刘志贤 ;

蒋进佑 .

中国专利 :CN114724850A ,2022-07-08

[3]

多层电子组件和制造多层电子组件的方法 [P].

尹硕晛 ;

田仁浩 ;

朴然庭 ;

金珍友 ;

金美良 ;

朴世允 .

韩国专利 :CN117352300A ,2024-01-05

[4]

多层电子组件和制造多层电子组件的方法 [P].

姜东佑 .

韩国专利 :CN118522563A ,2024-08-20

[5]

多层电子组件和制造多层电子组件的方法 [P].

徐彰晧 .

韩国专利 :CN117438216A ,2024-01-23

[6]

多层电子组件和制造多层电子组件的方法 [P].

尹硕晛 ;

权亨纯 ;

郑汉胜 ;

金亨旭 ;

尹秉吉 .

韩国专利 :CN121171788A ,2025-12-19

[7]

多层电子组件和制造多层电子组件的方法 [P].

郑会烲 ;

康崙盛 ;

金善花 ;

朴柄圭 ;

罗元竣 ;

金斗永 .

韩国专利 :CN118156035A ,2024-06-07

[8]

多层电子组件和用于制造多层电子组件的方法 [P].

崔孝成 ;

朴正鎭 ;

崔虎森 ;

金宰源 ;

金善美 ;

李种晧 .

韩国专利 :CN118280724A ,2024-07-02

[9]

多层电子组件和制造该多层电子组件的方法 [P].

洪容珉 ;

崔才烈 ;

洪奇勺 .

中国专利 :CN106935401A ,2017-07-07

[10]

多层电子组件和制造多层电子组件的方法 [P].

李知炫 ;

李种晧 ;

李银贞 ;

洪容珉 ;

朴龙 ;

金珉雨 ;

朴正泰 ;

金善美 ;

姜心忠 .

韩国专利 :CN117995557A ,2024-05-07

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