多层电子组件和制造该多层电子组件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610693702.1

申请日：

2016-08-19

公开(公告)号：

CN106935401A

公开(公告)日：

2017-07-07

发明(设计)人：

洪容珉崔才烈洪奇勺

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01G430

IPC分类号：

H01G412 H01G4005 H01G4012 H01G4228 H01G4232 H01G1300

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

马翠平;汪喆

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-07-07	公开	公开
2020-04-14	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01G 4/30 申请公布日:20170707

共 50 条

[1]

多层电子组件及制造该多层电子组件的方法 [P].

韩昇勳 ;

赵成珉 ;

吴东俊 .

中国专利 :CN109599266B ,2019-04-09

[2]

多层电子组件以及制造该多层电子组件的方法 [P].

罗元竣 ;

康崙盛 ;

郑会烲 ;

金善花 ;

朴柄圭 .

韩国专利 :CN118280722A ,2024-07-02

[3]

多层电子组件及制造该多层电子组件的方法 [P].

崔虎森 ;

沈揆正 ;

崔孝成 ;

朴廷振 ;

李种晧 .

韩国专利 :CN118197802A ,2024-06-14

[4]

多层电子组件和制造多层电子组件的方法 [P].

朴债元 ;

崔亨综 ;

李忠垠 ;

金容敏 ;

李相贤 ;

许才恩 .

韩国专利 :CN120376338A ,2025-07-25

[5]

多层电子组件和制造多层电子组件的方法 [P].

金泰亨 ;

朴文秀 ;

刘志贤 ;

蒋进佑 .

中国专利 :CN114724850A ,2022-07-08

[6]

多层电子组件和制造多层电子组件的方法 [P].

尹硕晛 ;

田仁浩 ;

朴然庭 ;

金珍友 ;

金美良 ;

朴世允 .

韩国专利 :CN117352300A ,2024-01-05

[7]

多层电子组件和制造多层电子组件的方法 [P].

姜东佑 .

韩国专利 :CN118522563A ,2024-08-20

[8]

多层电子组件和制造多层电子组件的方法 [P].

徐彰晧 .

韩国专利 :CN117438216A ,2024-01-23

[9]

多层电子组件和制造多层电子组件的方法 [P].

边圭泰 ;

申承浩 ;

金知姸 ;

全圭午 .

韩国专利 :CN119786260A ,2025-04-08

[10]

多层电子组件和制造多层电子组件的方法 [P].

尹硕晛 ;

权亨纯 ;

郑汉胜 ;

金亨旭 ;

尹秉吉 .

韩国专利 :CN121171788A ,2025-12-19

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