多层电子组件及制造该多层电子组件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310916481.X

申请日：

2023-07-25

公开(公告)号：

CN118197802A

公开(公告)日：

2024-06-14

发明(设计)人：

崔虎森沈揆正崔孝成朴廷振李种晧

申请人：

三星电机株式会社

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01G4/12

IPC分类号：

H01G4/30

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

赵晓旋;曹志博

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01G 4/12申请日:20230725
2024-06-14	公开	公开

共 50 条

[1]

多层电子组件及制造该多层电子组件的方法 [P].

韩昇勳 ;

赵成珉 ;

吴东俊 .

中国专利 :CN109599266B ,2019-04-09

[2]

多层电子组件以及制造该多层电子组件的方法 [P].

罗元竣 ;

康崙盛 ;

郑会烲 ;

金善花 ;

朴柄圭 .

韩国专利 :CN118280722A ,2024-07-02

[3]

多层电子组件和制造该多层电子组件的方法 [P].

洪容珉 ;

崔才烈 ;

洪奇勺 .

中国专利 :CN106935401A ,2017-07-07

[4]

多层电子组件及制造多层电子组件的方法 [P].

李昇娟 ;

金龙九 ;

金知元 ;

林显珉 ;

姜晟馨 ;

曹东秀 .

韩国专利 :CN120221270A ,2025-06-27

[5]

多层电子组件以及制造该多层电子组件的方法 [P].

千旼径 ;

崔裕真 ;

金明基 .

中国专利 :CN104916392A ,2015-09-16

[6]

多层电子组件和制造多层电子组件的方法 [P].

朴债元 ;

崔亨综 ;

李忠垠 ;

金容敏 ;

李相贤 ;

许才恩 .

韩国专利 :CN120376338A ,2025-07-25

[7]

多层电子组件和制造多层电子组件的方法 [P].

金泰亨 ;

朴文秀 ;

刘志贤 ;

蒋进佑 .

中国专利 :CN114724850A ,2022-07-08

[8]

多层电子组件和制造多层电子组件的方法 [P].

尹硕晛 ;

田仁浩 ;

朴然庭 ;

金珍友 ;

金美良 ;

朴世允 .

韩国专利 :CN117352300A ,2024-01-05

[9]

多层电子组件和制造多层电子组件的方法 [P].

姜东佑 .

韩国专利 :CN118522563A ,2024-08-20

[10]

多层电子组件和制造多层电子组件的方法 [P].

徐彰晧 .

韩国专利 :CN117438216A ,2024-01-23

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