多层电子组件及制造该多层电子组件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811120412.3

申请日：

2018-09-26

公开(公告)号：

CN109599266B

公开(公告)日：

2019-04-09

发明(设计)人：

韩昇勳赵成珉吴东俊

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01G412

IPC分类号：

H01G430 H01G1300

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

祝玉媛;武慧南

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-04	授权	授权
2019-05-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01G 4/12 申请日:20180926
2019-04-09	公开	公开

共 50 条

[1]

多层电子组件及制造该多层电子组件的方法 [P].

崔虎森 ;

沈揆正 ;

崔孝成 ;

朴廷振 ;

李种晧 .

韩国专利 :CN118197802A ,2024-06-14

[2]

多层电子组件以及制造该多层电子组件的方法 [P].

罗元竣 ;

康崙盛 ;

郑会烲 ;

金善花 ;

朴柄圭 .

韩国专利 :CN118280722A ,2024-07-02

[3]

多层电子组件和制造该多层电子组件的方法 [P].

洪容珉 ;

崔才烈 ;

洪奇勺 .

中国专利 :CN106935401A ,2017-07-07

[4]

多层电子组件及制造多层电子组件的方法 [P].

李昇娟 ;

金龙九 ;

金知元 ;

林显珉 ;

姜晟馨 ;

曹东秀 .

韩国专利 :CN120221270A ,2025-06-27

[5]

多层电子组件及制造多层电子组件的方法 [P].

韩昇勳 ;

赵成珉 ;

吴东俊 .

中国专利 :CN109585166A ,2019-04-05

[6]

多层电子组件及具有该多层电子组件的板 [P].

朴兴吉 ;

池求愿 ;

朴世训 .

中国专利 :CN109524238B ,2019-03-26

[7]

多层电子组件及具有该多层电子组件的板 [P].

池求愿 ;

朴兴吉 ;

朴世训 .

中国专利 :CN109559890A ,2019-04-02

[8]

多层电子组件及具有该多层电子组件的板 [P].

朴世训 ;

池求愿 ;

朴兴吉 .

中国专利 :CN109599268B ,2019-04-09

[9]

多层电子组件以及制造该多层电子组件的方法 [P].

千旼径 ;

崔裕真 ;

金明基 .

中国专利 :CN104916392A ,2015-09-16

[10]

多层电子组件和制造多层电子组件的方法 [P].

朴债元 ;

崔亨综 ;

李忠垠 ;

金容敏 ;

李相贤 ;

许才恩 .

韩国专利 :CN120376338A ,2025-07-25

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