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基于双光子与受激辐射损耗效应的超分辨激光直写与成像方法和装置

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411804136.8
申请日：
2024-12-10
公开(公告)号：
CN119270597B
公开(公告)日：
2025-04-11
发明(设计)人：
徐良 刘秋兰 张嘉晨 杨臻垚 匡翠方 刘旭
申请人：
浙江大学
申请人地址：
310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
IPC主分类号：
G03F7/20
IPC分类号：
G03F7/004 G02B27/09 G02B27/28 G02B27/58
代理机构：
杭州天正专利事务所有限公司 33201
代理人：
王兵
法律状态：
授权
国省代码：
浙江省 杭州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-11 授权 授权
2025-01-24 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G03F 7/20申请日:20241210
2025-01-07 公开 公开
共 50 条
[1]
基于双光子与受激辐射损耗效应的超分辨激光直写与成像方法和装置 [P]. 
徐良 ;
刘秋兰 ;
张嘉晨 ;
杨臻垚 ;
匡翠方 ;
刘旭 .
中国专利 :CN119270597A ,2025-01-07
[2]
一种受激辐射损耗敏化的荧光损耗原理及其超分辨成像方法与装置 [P]. 
詹求强 ;
朱志旻 ;
郭鑫 ;
蒲锐 ;
乔书倩 ;
黄冰如 .
中国专利 :CN115201165B ,2024-12-13
[3]
一种共轴三维受激辐射损耗超分辨显微成像方法和装置 [P]. 
匡翠方 ;
刘少聪 ;
刘文杰 ;
陈友华 ;
朱大钊 ;
刘旭 ;
李海峰 ;
张克奇 ;
毛磊 .
中国专利 :CN107941763A ,2018-04-20
[4]
一种基于双光子吸收效应的成像方法和装置 [P]. 
刘秋兰 ;
祁绩 ;
朱大钊 ;
杨臻垚 ;
匡翠方 .
中国专利 :CN119270581B ,2025-05-13
[5]
一种基于双光子吸收效应的成像方法和装置 [P]. 
刘秋兰 ;
祁绩 ;
朱大钊 ;
杨臻垚 ;
匡翠方 .
中国专利 :CN119270581A ,2025-01-07
[6]
基于双光子非线性效应的超分辨显微成像系统及成像方法 [P]. 
王树峰 ;
程雪 ;
刘伟 ;
褚赛赛 ;
龚旗煌 .
中国专利 :CN115372322A ,2022-11-22
[7]
基于双光子非线性效应的超分辨显微成像系统及成像方法 [P]. 
王树峰 ;
程雪 ;
刘伟 ;
褚赛赛 ;
龚旗煌 .
中国专利 :CN115372322B ,2024-07-16
[8]
一种受激辐射损耗方法、超分辨成像方法及显微成像装置 [P]. 
詹求强 ;
王保举 ;
蒲锐 ;
彭星韵 ;
黄冰如 .
中国专利 :CN106645064A ,2017-05-10
[9]
一种超分辨激光直写与成像方法及装置 [P]. 
匡翠方 ;
刘秋兰 ;
汤孟博 ;
朱大钊 ;
张智敏 ;
徐良 ;
刘旭 .
中国专利 :CN114019764A ,2022-02-08
[10]
一种超分辨激光直写与成像方法及装置 [P]. 
匡翠方 ;
刘秋兰 ;
汤孟博 ;
朱大钊 ;
张智敏 ;
徐良 ;
刘旭 .
中国专利 :CN114019764B ,2024-01-09
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