薄膜结构及其制备方法、电子器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411848951.4

申请日：

2024-12-16

公开(公告)号：

CN119758619A

公开(公告)日：

2025-04-04

发明(设计)人：

梁龙跃刘亚明胡文

申请人：

济南晶正电子科技有限公司

申请人地址：

250102 山东省济南市历城区经十东路济南章锦综合保税区晶正园区

IPC主分类号：

G02F1/03

IPC分类号：

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

孟秀娟;刘芳

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-04	公开	公开
2025-09-30	授权	授权
2025-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G02F 1/03申请日:20241216

共 50 条

[21]

薄膜电阻及其制备方法、电子器件、芯片和电子设备 [P].

王凯 ;

陈燕宁 ;

刘芳 ;

余山 ;

邓永峰 ;

吴波 ;

宋斌斌 ;

连亚军 ;

郁文 ;

李君建 ;

张同 ;

朱亚星 .

中国专利 :CN118136615B ,2024-07-16

[22]

垂直结构半导体电子器件及其制备方法 [P].

张晓东 ;

范亚明 ;

黄蓉 ;

曾中明 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN117995899A ,2024-05-07

[23]

电子器件及其应用 [P].

M·D·罗塔鲁 ;

J·W·维坎普 .

中国专利 :CN100468726C ,2009-03-11

[24]

薄膜及其制备方法、电子器件及电子设备 [P].

施祺霖 ;

邱枫 .

中国专利 :CN121006530A ,2025-11-25

[25]

薄膜结构及其制备方法 [P].

刘良文 ;

闫晓晖 ;

拉海忠 .

中国专利 :CN120033071A ,2025-05-23

[26]

电子器件以及制造电子器件的方法 [P].

内田建次 ;

平泽宏希 .

中国专利 :CN101609820B ,2009-12-23

[27]

电子器件和制造电子器件的方法 [P].

A·海因里希 ;

P·舍尔 ;

M·霍伊 ;

H-J·蒂默 .

中国专利 :CN104617068A ,2015-05-13

[28]

电子器件及其制备方法 [P].

马库斯·赫默特 ;

托马斯·罗泽诺 .

德国专利 :CN109599494B ,2024-01-23

[29]

电子器件及其制备方法 [P].

吕林静 ;

许继辉 .

中国专利 :CN112978675B ,2021-06-18

[30]

电子器件及其制备方法 [P].

薛静 ;

李必奇 ;

王智勇 ;

宋勇 ;

于洪俊 .

中国专利 :CN114899173A ,2022-08-12

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