トレンチゲートパワーＭＯＳＦＥＴ及びその製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20240552149

申请日：

2023-06-28

公开(公告)号：

JP2025511481A

公开(公告)日：

2025-04-16

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H10D30/01

代理机构：

代理人：

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法律状态信息

共 50 条

[1]

インサート製品及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP6985542B1 ,2021-12-22

[2]

ガス透過性スーパーストレート及びその使用方法[ja] [P].

日本专利 :JP2022522210A ,2022-04-14

[3]

傾斜ゲート・トレンチを含むパワー半導体デバイス[ja] [P].

KIM WOONGSUN ;

DANIEL J LICHTENWALNER ;

RYU SEI-HYUNG ;

NAEEM ISLAM ;

THOMAS E HARRINGTON III .

日本专利 :JP2025078816A ,2025-05-20

[4]

傾斜ゲート・トレンチを含むパワー半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2023548037A ,2023-11-15

[5]

半導体テンプレート及び製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2018520502A ,2018-07-26

[6]

ゲートを製造する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2023523691A ,2023-06-07

[7]

双方向トレンチパワースイッチ向けのシステム及び方法[ja] [P].

日本专利 :JP2024529136A ,2024-08-01

[8]

デプレッションモード浮遊ゲートチャネルを備えた分割ゲートメモリセル、及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2015529975A ,2015-10-08

[9]

半導体パワースイッチ及び半導体パワースイッチの製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2016524332A ,2016-08-12

[10]

パッケージのためのコンポーネントアレンジメントを製造するための方法、コンポーネントアレンジメントを有するパッケージを製造するための方法、コンポーネントアレンジメント、およびパッケージ[ja] [P].

日本专利 :JP2022539450A ,2022-09-09

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