半導体テンプレート及び製造方法[ja]

被引：0

申请号：

JP20170558490

申请日：

2016-05-05

公开(公告)号：

JP2018520502A

公开(公告)日：

2018-07-26

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

H01L21/20

IPC分类号：

C30B29/38

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法律状态信息

共 50 条

[1]

半導体レーザ光源及び半導体レーザ光源の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2015198377A1 ,2017-05-25

[2]

半導体基板製造装置、半導体基板製造方法及び半導体基板[ja] [P].

日本专利 :JPWO2008117355A1 ,2010-07-08

[3]

半導体素子の製造方法及び半導体基板[ja] [P].

日本专利 :JPWO2018055838A1 ,2019-07-18

[4]

半導体装置の製造方法及び半導体装置[ja] [P].

SHIMABAYASHI MASAHARU .

日本专利 :JP2025051052A ,2025-04-04

[5]

半導体構造及びその製造方法[ja] [P].

TAO LONG ;

LEE SPENCER RILEY ;

HUANG PIN-HAO ;

HUANG BAU-SHUN ;

CHEN ZE RUI .

日本专利 :JP2025076982A ,2025-05-16

[6]

半導体構造および半導体構造の製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2016530719A ,2016-09-29

[7]

半導体材料、製造方法及び半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP7641447B2 ,2025-03-06

[8]

半導体材料、製造方法及び半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2025502954A ,2025-01-30

[9]

量子ドット半導体材料の製造装置及び製造方法[ja] [P].

日本专利 :JP2014529877A ,2014-11-13

[10]

半導体装置及びその製造方法[ja] [P].

日本专利 :JPWO2003052829A1 ,2005-04-28

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