一种多孔二氧化硅整体材料的制备方法及其装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510302466.5

申请日：

2025-03-14

公开(公告)号：

CN119898775A

公开(公告)日：

2025-04-29

发明(设计)人：

魏丽娟邓玲娟郑敏燕尚永辉赵维王佳萌朱霖庭

申请人：

咸阳师范学院

申请人地址：

712000 陕西省咸阳市渭城区文林路43号

IPC主分类号：

C01B33/18

IPC分类号：

B82Y40/00 B82Y30/00 B01F27/1152 B01F23/41 B01F27/806 B01F27/83 B01F27/90 B01F27/93 B01F35/10

代理机构：

北京鼎德宝专利代理事务所(特殊普通合伙) 11823

代理人：

黄佳敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

陕西省咸阳市

引用

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共 50 条

[1]

多孔二氧化硅的制备方法以及多孔二氧化硅 [P].

今井宏明 ;

绪明佑哉 ;

渡辺洋人 .

中国专利 :CN102834355B ,2012-12-19

[2]

多孔二氧化硅及其制备方法 [P].

李云 ;

陈文生 ;

李涛 .

中国专利 :CN105600794A ,2016-05-25

[3]

一种多孔二氧化硅纳米环及其制备方法 [P].

张建安 ;

袁玉昆 ;

吴明元 ;

吴庆云 ;

杨建军 ;

刘久逸 .

中国专利 :CN113753904A ,2021-12-07

[4]

多孔二氧化硅 [P].

张士福 ;

杨运信 ;

张丽斌 ;

宋朝红 ;

姚喆 ;

查晓钟 ;

秦群英 .

中国专利 :CN101885488B ,2010-11-17

[5]

一种多孔二氧化硅改性材料及其制备方法 [P].

刘少北 .

中国专利 :CN107963632A ,2018-04-27

[6]

多孔二氧化硅的制造方法 [P].

黄盈祯 ;

江姿幸 ;

唐心陆 ;

洪志斌 .

中国专利 :CN113526511A ,2021-10-22

[7]

中空多孔二氧化硅及其制备方法 [P].

尹亚玲 ;

胡林政 ;

沈晓燕 .

中国专利 :CN118579799A ,2024-09-03

[8]

一种内部结构可控的三维多孔二氧化硅块体材料及其制备方法和应用 [P].

魏丽娟 ;

许锦琼 ;

邓玲娟 ;

赵维 .

中国专利 :CN118908226A ,2024-11-08

[9]

单分散多孔二氧化硅球材料的制备方法 [P].

赵东元 ;

朱洪伟 ;

刘玉普 .

中国专利 :CN108439420B ,2018-08-24

[10]

制备纳米多孔二氧化硅的装置及其方法 [P].

梁庆周 ;

金镇洙 ;

金锺吉 ;

申桐喜 .

中国专利 :CN101312908A ,2008-11-26

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01B 33/18申请日:20250314
2025-04-29	公开	公开