一种多通道超结IGBT器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110911954.8

申请日：

2021-08-10

公开(公告)号：

CN113782586B

公开(公告)日：

2025-04-25

发明(设计)人：

吴玉舟李菲李欣刘铁川禹久赢

申请人：

上海超致半导体科技有限公司

申请人地址：

201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区蔡伦路1690号2号楼405室

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D12/00 H10D12/01

代理机构：

上海邦德专利代理事务所(普通合伙) 31312

代理人：

梁剑

法律状态：

授权

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	授权	授权

共 50 条

[1]

一种多通道超结IGBT器件 [P].

吴玉舟 ;

李菲 ;

李欣 ;

刘铁川 ;

禹久赢 .

中国专利 :CN216871974U ,2022-07-01

[2]

一种多通道超结IGBT器件 [P].

吴玉舟 ;

李菲 ;

李欣 ;

刘铁川 ;

禹久赢 .

中国专利 :CN113782586A ,2021-12-10

[3]

一种超薄超结IGBT器件 [P].

吴玉舟 ;

禹久赢 .

中国专利 :CN217280784U ,2022-08-23

[4]

超结IGBT器件 [P].

曾大杰 .

中国专利 :CN117577671A ,2024-02-20

[5]

超结IGBT器件 [P].

曾大杰 .

中国专利 :CN117577671B ,2025-09-23

[6]

一种超结RB-IGBT器件结构 [P].

吴玉舟 ;

刘铁川 ;

李欣 ;

李菲 ;

禹久赢 .

中国专利 :CN216980569U ,2022-07-15

[7]

超结RC-IGBT器件结构 [P].

程炜涛 ;

姚阳 .

中国专利 :CN114664920A ,2022-06-24

[8]

一种高耐压低损耗超结IGBT器件及其制造方法 [P].

曹臻 ;

刘建军 ;

李家贵 ;

王逸豪 ;

杨小艳 .

中国专利 :CN120076359A ,2025-05-30

[9]

一种低开启电压的超结RB-IGBT器件 [P].

吴玉舟 ;

李菲 ;

李欣 ;

刘铁川 ;

禹久赢 .

中国专利 :CN215731726U ,2022-02-01

[10]

一种低开启电压的超结RB-IGBT器件 [P].

吴玉舟 ;

李菲 ;

李欣 ;

刘铁川 ;

禹久赢 .

中国专利 :CN113725280B ,2025-12-30

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