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半导体器件及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311378948.6
申请日：
2023-10-24
公开(公告)号：
CN119905391A
公开(公告)日：
2025-04-29
发明(设计)人：
请求不公布姓名
申请人：
青岛澳柯玛云联信息技术有限公司
申请人地址：
266000 山东省青岛市黄岛区太行山路2号
IPC主分类号：
H01L21/265
IPC分类号：
H10D84/03 H10D84/40
代理机构：
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人：
贺妮妮
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-05-16 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/265申请日:20231024
2025-04-29 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
仇峰 ;
杨莎莎 ;
王珊珊 .
中国专利 :CN119947163B ,2025-07-08
[2]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
仇峰 ;
杨莎莎 ;
王珊珊 .
中国专利 :CN119947163A ,2025-05-06
[3]
半导体器件的制备方法 [P]. 
查斌斌 .
中国专利 :CN119421441A ,2025-02-11
[4]
半导体器件的制备方法 [P]. 
刘利晨 ;
巫奉伦 ;
夏忠平 .
中国专利 :CN114724932A ,2022-07-08
[5]
一种半导体器件及其制备方法 [P]. 
杨少华 ;
杨昱霖 ;
沈娅 ;
蔡马龙 .
中国专利 :CN121152289A ,2025-12-16
[6]
半导体衬底及其制备方法、半导体器件及其制备方法 [P]. 
王国斌 ;
闫其昂 ;
刘宗亮 .
中国专利 :CN114141919A ,2022-03-04
[7]
半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P]. 
刘洋 ;
李松雨 ;
陶大伟 .
中国专利 :CN118102710A ,2024-05-28
[8]
半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P]. 
廖学海 ;
明玉坤 ;
邹鹏 .
中国专利 :CN121099680A ,2025-12-09
[9]
半导体结构及其制备方法、半导体器件 [P]. 
张旭 ;
储郁冬 ;
陆琦 ;
赵天楚 .
中国专利 :CN118866807A ,2024-10-29
[10]
半导体器件、半导体结构及其制备方法 [P]. 
周维杰 ;
常靖华 .
中国专利 :CN119866047A ,2025-04-22
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