具有异质沟道的栅极全环绕晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380064411.4

申请日：

2023-09-01

公开(公告)号：

CN119923966A

公开(公告)日：

2025-05-02

发明(设计)人：

A·格林望月省吾 J·福罗吉尔筒井元覃丽巧

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国

IPC主分类号：

H10D84/03

IPC分类号：

H10D84/85 H10D62/10 H10D30/43 H10D30/67 H10D30/01

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

程晨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/03申请日:20230901
2025-05-02	公开	公开

共 50 条

[1]

用于栅极全环绕（GAA）晶体管结构的混合沟道区 [P].

A·默西 ;

P·马吉 ;

G·格拉斯 .

美国专利 :CN117597778A ,2024-02-23

[2]

具有高电荷迁移率沟道材料的全环绕栅极晶体管 [P].

杨斌 ;

杨海宁 ;

李夏 .

美国专利 :CN114981955B ,2025-07-15

[3]

具有异质结构沟道的场效应晶体管 [P].

林建铭 .

中国专利 :CN104835843B ,2015-08-12

[4]

栅极全环绕场效晶体管 [P].

陈稐寯 ;

何秉隆 .

中国专利 :CN120825992A ,2025-10-21

[5]

全环绕栅极晶体管的制备方法 [P].

母志强 ;

刘强 ;

俞文杰 .

中国专利 :CN113539792B ,2024-03-01

[6]

全环绕栅极晶体管的制备方法 [P].

母志强 ;

刘强 ;

俞文杰 .

中国专利 :CN113539792A ,2021-10-22

[7]

包括全环绕栅极晶体管的集成电路 [P].

金本烨 ;

金兑衡 ;

韩相信 ;

白尚叶 .

中国专利 :CN114446966A ,2022-05-06

[8]

没有空腔间隔物结构的栅极全环绕晶体管 [P].

H·全 ;

G·布歇 ;

T·古哈內奥吉 ;

S·沙吕巴克 ;

R·埃勒特 .

美国专利 :CN120730812A ,2025-09-30

[9]

具有环绕栅极的纳米线晶体管 [P].

伦纳德·福布斯 .

中国专利 :CN101410963A ,2009-04-15

[10]

基板隔离应变栅极全环绕场效晶体管 [P].

肖恩·托马斯 .

美国专利 :CN120113359A ,2025-06-06

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