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半导体结构的形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410684151.7
申请日：
2024-05-29
公开(公告)号：
CN118280922B
公开(公告)日：
2025-04-29
发明(设计)人：
周鲁豪
吴永玉
陶然
王江红
武青芳
申请人：
浙江创芯集成电路有限公司
申请人地址：
311200 浙江省杭州市萧山区经济技术开发区建设三路733号
IPC主分类号：
H01L21/768
IPC分类号：
H01L21/033
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
吴敏
法律状态：
公开
国省代码：
安徽省
宣城市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-07-02 | 公开 | 公开 |
| 2025-04-29 | 授权 | 授权 |
| 2024-07-19 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20240529 |