光电传感器及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311360499.2

申请日：

2023-10-19

公开(公告)号：

CN119894129A

公开(公告)日：

2025-04-25

发明(设计)人：

王汇科王志高

申请人：

中芯国际集成电路制造（北京）有限公司中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道18号

IPC主分类号：

H10F39/18

IPC分类号：

H10F39/15 G01D5/26

代理机构：

上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327

代理人：

严皖金;张雪琴

法律状态：

公开

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	公开	公开
2025-05-13	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10F 39/18申请日:20231019

共 50 条

[1]

光电传感器及其形成方法 [P].

王治 .

中国专利 :CN118156273A ,2024-06-07

[2]

光电传感器及其形成方法 [P].

张伟 ;

冯威 .

中国专利 :CN118016679A ,2024-05-10

[3]

光电传感器及其形成方法 [P].

朱九州 ;

李晓萍 ;

李建军 ;

尹卓 .

中国专利 :CN120152409A ,2025-06-13

[4]

光电传感器及其形成方法 [P].

尹卓 ;

李建军 ;

李晓萍 .

中国专利 :CN120417516A ,2025-08-01

[5]

光电传感器及其形成方法 [P].

高长城 ;

张伟 ;

石强 .

中国专利 :CN118263263A ,2024-06-28

[6]

光电传感器及其形成方法 [P].

张伟 ;

冯威 ;

石强 .

中国专利 :CN117832237A ,2024-04-05

[7]

光电传感器的形成方法 [P].

尹卓 ;

李建军 ;

宋孟夏 .

中国专利 :CN120417515A ,2025-08-01

[8]

光电传感器的形成方法 [P].

司阳 ;

王志高 .

中国专利 :CN118866915A ,2024-10-29

[9]

光电传感器及其形成方法 [P].

任惠 ;

王志高 .

中国专利 :CN119545935A ,2025-02-28

[10]

光电传感器及其形成方法 [P].

宋孟夏 ;

尹卓 ;

李建军 ;

熊焰 .

中国专利 :CN118693110A ,2024-09-24

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