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光电传感器的形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410122745.9
申请日：
2024-01-29
公开(公告)号：
CN120417515A
公开(公告)日：
2025-08-01
发明(设计)人：
尹卓 李建军 宋孟夏
申请人：
中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址：
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道18号
IPC主分类号：
H10F39/18
IPC分类号：
代理机构：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327
代理人：
严皖金;张雪琴
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-08-19 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10F 39/18申请日:20240129
2025-08-01 公开 公开
共 50 条
[1]
光电传感器及其形成方法 [P]. 
尹卓 ;
李建军 ;
李晓萍 .
中国专利 :CN120417516A ,2025-08-01
[2]
光电传感器的形成方法 [P]. 
司阳 ;
王志高 .
中国专利 :CN118866915A ,2024-10-29
[3]
光电传感器及其形成方法 [P]. 
王治 .
中国专利 :CN118156273A ,2024-06-07
[4]
光电传感器及其形成方法 [P]. 
张伟 ;
冯威 .
中国专利 :CN118016679A ,2024-05-10
[5]
光电传感器及其形成方法 [P]. 
朱九州 ;
李晓萍 ;
李建军 ;
尹卓 .
中国专利 :CN120152409A ,2025-06-13
[6]
光电传感器及其形成方法 [P]. 
王汇科 ;
王志高 .
中国专利 :CN119894129A ,2025-04-25
[7]
光电传感器及其形成方法 [P]. 
张伟 ;
冯威 ;
石强 .
中国专利 :CN117832237A ,2024-04-05
[8]
光电传感器及其形成方法 [P]. 
高长城 ;
张伟 ;
石强 .
中国专利 :CN118263263A ,2024-06-28
[9]
光电传感器的形成方法 [P]. 
张伟 ;
冯威 .
中国专利 :CN118352366A ,2024-07-16
[10]
光电传感器及其形成方法 [P]. 
任惠 ;
王志高 .
中国专利 :CN119545935A ,2025-02-28
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