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光电传感器的形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410122745.9
申请日：
2024-01-29
公开(公告)号：
CN120417515A
公开(公告)日：
2025-08-01
发明(设计)人：
尹卓
李建军
宋孟夏
申请人：
中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址：
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道18号
IPC主分类号：
H10F39/18
IPC分类号：
代理机构：
上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327
代理人：
严皖金;张雪琴
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
安徽省
宣城市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-08-19 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H10F 39/18申请日:20240129 |
| 2025-08-01 | 公开 | 公开 |