一种水控制的可逆镝基单分子磁体框架材料的制备方法及其应用

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专利类型
发明
申请号
CN202510060296.4
申请日
2025-01-15
公开(公告)号
CN119875135A
公开(公告)日
2025-04-25
发明(设计)人
邵东 陈毅 董福万 万依
申请人
黄冈师范学院
申请人地址
438000 湖北省黄冈市开发区新港二路146号
IPC主分类号
C08G83/00
IPC分类号
H01F1/42
代理机构
武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222
代理人
邓程铭
法律状态
公开
国省代码
湖北省 武汉市
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共 50 条
[1]
一种双镝基单分子磁体材料及其制备方法 [P]. 
王瑞 .
中国专利 :CN115772182B ,2024-09-03
[2]
一种双核镝单分子磁体材料及其制备方法与应用 [P]. 
申福星 ;
鲍宗必 ;
曹义风 ;
黎正涛 ;
曹一佳 ;
安友成 .
中国专利 :CN120554388A ,2025-08-29
[3]
一种高对称性镝基单分子磁体的制备方法 [P]. 
丁夏利 ;
吕永卫 ;
闫芳园 ;
宋冬冬 ;
刘康 .
中国专利 :CN120441855A ,2025-08-08
[4]
双核镝单分子磁体及其制备方法和应用 [P]. 
陈磊 ;
张奔 ;
向毅 ;
赵颖娟 ;
蔡星伟 .
中国专利 :CN115368388A ,2022-11-22
[5]
双核镝单分子磁体及其制备方法和应用 [P]. 
陈磊 ;
张奔 ;
向毅 ;
赵颖娟 ;
蔡星伟 .
中国专利 :CN115368388B ,2024-03-19
[6]
一种镝配合物及其制备方法和应用 [P]. 
葛景园 ;
陈凤桂 ;
肖洪平 .
中国专利 :CN114524831A ,2022-05-24
[7]
一种双核稀土镝单分子磁体、制备方法及其应用 [P]. 
李佳 ;
王金 ;
王窦尊 ;
崔会会 ;
朱金丽 ;
汤艳峰 ;
孙广平 ;
胡延强 .
中国专利 :CN117903180A ,2024-04-19
[8]
一种四核镝单分子磁体及其制备方法 [P]. 
逯静静 ;
张芫溪 ;
韩芥萱 ;
江月柔 ;
孙博焘 ;
王通通 ;
张军正 ;
何欣琳 .
中国专利 :CN120904222A ,2025-11-07
[9]
一种多酸镝单分子磁体及其制备方法 [P]. 
刘天府 ;
张媛 ;
魏晨燕 .
中国专利 :CN103994792A ,2014-08-20
[10]
一种基于双酰腙的镝单分子磁体材料及其制备方法 [P]. 
钟开龙 ;
权静 ;
胡虹 .
中国专利 :CN115772181B ,2024-08-16