双核镝单分子磁体及其制备方法和应用

被引：0

申请号：

CN202210963255.2

申请日：

2022-08-11

公开(公告)号：

CN115368388A

公开(公告)日：

2022-11-22

发明(设计)人：

陈磊张奔向毅赵颖娟蔡星伟

申请人：

申请人地址：

212100 江苏省镇江市丹徒区长晖路666号

IPC主分类号：

C07F500

IPC分类号：

C07F502 H01F142

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司 32200

代理人：

余俊杰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C07F 5/00 申请日:20220811
2022-11-22	公开	公开

共 50 条

[1]

双核镝单分子磁体及其制备方法和应用 [P].

陈磊 ;

张奔 ;

向毅 ;

赵颖娟 ;

蔡星伟 .

中国专利 :CN115368388B ,2024-03-19

[2]

高能垒镝单离子磁体及其制备方法和应用 [P].

陈磊 ;

程志杰 ;

杨亦谋 ;

景蓉 ;

赵颖娟 ;

蔡星伟 ;

郑绍军 .

中国专利 :CN114560881A ,2022-05-31

[3]

Co(III)-Co(II)双核钴单分子磁体及其制备方法和应用 [P].

陈磊 ;

刘梦瑶 ;

程志杰 ;

田双琴 ;

蔡星伟 ;

袁爱华 .

中国专利 :CN113956297A ,2022-01-21

[4]

零场镝单离子磁体及其制备方法和应用 [P].

陈磊 ;

程志杰 ;

景蓉 ;

谭鹏飞 ;

蔡星伟 ;

袁爱华 .

中国专利 :CN114031634A ,2022-02-11

[5]

零场镝单离子磁体及其制备方法和应用 [P].

陈磊 ;

程志杰 ;

景蓉 ;

谭鹏飞 ;

蔡星伟 ;

袁爱华 .

中国专利 :CN114031634B ,2024-03-19

[6]

零场单核钴单分子磁体及其制备方法和应用 [P].

陈书阳 ;

孙红先 .

中国专利 :CN120329359A ,2025-07-18

[7]

高配位镝单离子磁体及其制备方法和应用 [P].

陈书阳 ;

孙红先 .

中国专利 :CN118908984A ,2024-11-08

[8]

高配位镝单离子磁体及其制备方法和应用 [P].

陈书阳 ;

孙红先 .

中国专利 :CN118908984B ,2025-05-13

[9]

一种双核稀土镝单分子磁体、制备方法及其应用 [P].

李佳 ;

王金 ;

王窦尊 ;

崔会会 ;

朱金丽 ;

汤艳峰 ;

孙广平 ;

胡延强 .

中国专利 :CN117903180A ,2024-04-19

[10]

六角双锥型单核镝化合物及其制备方法和应用 [P].

陈磊 ;

谭鹏飞 ;

程志杰 ;

赵颖娟 ;

蔡星伟 ;

袁爱华 .

中国专利 :CN113980038A ,2022-01-28

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