Co(III)-Co(II)双核钴单分子磁体及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111368606.7

申请日：

2021-11-18

公开(公告)号：

CN113956297A

公开(公告)日：

2022-01-21

发明(设计)人：

陈磊刘梦瑶程志杰田双琴蔡星伟袁爱华

申请人：

申请人地址：

212100 江苏省镇江市丹徒区长晖路666号

IPC主分类号：

C07F1506

IPC分类号：

H01F142

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司 32200

代理人：

余俊杰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C07F 15/06 申请日:20211118
2022-01-21	公开	公开

共 50 条

[1]

双核镝单分子磁体及其制备方法和应用 [P].

陈磊 ;

张奔 ;

向毅 ;

赵颖娟 ;

蔡星伟 .

中国专利 :CN115368388A ,2022-11-22

[2]

双核镝单分子磁体及其制备方法和应用 [P].

陈磊 ;

张奔 ;

向毅 ;

赵颖娟 ;

蔡星伟 .

中国专利 :CN115368388B ,2024-03-19

[3]

零场单核钴单分子磁体及其制备方法和应用 [P].

陈书阳 ;

孙红先 .

中国专利 :CN120329359A ,2025-07-18

[4]

零场镝单离子磁体及其制备方法和应用 [P].

陈磊 ;

程志杰 ;

景蓉 ;

谭鹏飞 ;

蔡星伟 ;

袁爱华 .

中国专利 :CN114031634A ,2022-02-11

[5]

零场镝单离子磁体及其制备方法和应用 [P].

陈磊 ;

程志杰 ;

景蓉 ;

谭鹏飞 ;

蔡星伟 ;

袁爱华 .

中国专利 :CN114031634B ,2024-03-19

[6]

高能垒镝单离子磁体及其制备方法和应用 [P].

陈磊 ;

程志杰 ;

杨亦谋 ;

景蓉 ;

赵颖娟 ;

蔡星伟 ;

郑绍军 .

中国专利 :CN114560881A ,2022-05-31

[7]

一种Co零维单分子磁体材料和制备方法及其应用 [P].

谢亚勃 ;

郑海洋 ;

李建荣 .

中国专利 :CN103714932A ,2014-04-09

[8]

一种Dy(III)-Cu(II)共晶单分子磁体及其制备方法 [P].

李郤里 ;

周立明 ;

王爱玲 ;

崔明会 .

中国专利 :CN111116343B ,2020-05-08

[9]

具有单分子磁体性质的双核钴配合物、合成方法及应用 [P].

崔会会 ;

徐红娟 ;

唐子洋 ;

汤艳峰 ;

王金 ;

王淼 ;

孙同明 ;

丁津津 .

中国专利 :CN118063523A ,2024-05-24

[10]

一种具有双顺磁钴中心的分子磁体及其合成方法和应用 [P].

崔会会 ;

徐红娟 ;

唐子洋 ;

王金 ;

王淼 ;

孙同明 ;

汤艳峰 .

中国专利 :CN118221747A ,2024-06-21

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