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零场镝单离子磁体及其制备方法和应用

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111371426.4
申请日：
2021-11-18
公开(公告)号：
CN114031634A
公开(公告)日：
2022-02-11
发明(设计)人：
陈磊 程志杰 景蓉 谭鹏飞 蔡星伟 袁爱华
申请人：
申请人地址：
212100 江苏省镇江市丹徒区长晖路666号
IPC主分类号：
C07F500
IPC分类号：
C07C20112 C07C20116 C07C20526 H01F142 G11C1102
代理机构：
南京经纬专利商标代理有限公司 32200
代理人：
余俊杰
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-02-11 公开 公开
2022-03-01 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):C07F 5/00 申请日:20211118
共 50 条
[1]
零场镝单离子磁体及其制备方法和应用 [P]. 
陈磊 ;
程志杰 ;
景蓉 ;
谭鹏飞 ;
蔡星伟 ;
袁爱华 .
中国专利 :CN114031634B ,2024-03-19
[2]
高能垒镝单离子磁体及其制备方法和应用 [P]. 
陈磊 ;
程志杰 ;
杨亦谋 ;
景蓉 ;
赵颖娟 ;
蔡星伟 ;
郑绍军 .
中国专利 :CN114560881A ,2022-05-31
[3]
高配位镝单离子磁体及其制备方法和应用 [P]. 
陈书阳 ;
孙红先 .
中国专利 :CN118908984A ,2024-11-08
[4]
高配位镝单离子磁体及其制备方法和应用 [P]. 
陈书阳 ;
孙红先 .
中国专利 :CN118908984B ,2025-05-13
[5]
零场单核钴单分子磁体及其制备方法和应用 [P]. 
陈书阳 ;
孙红先 .
中国专利 :CN120329359A ,2025-07-18
[6]
双核镝单分子磁体及其制备方法和应用 [P]. 
陈磊 ;
张奔 ;
向毅 ;
赵颖娟 ;
蔡星伟 .
中国专利 :CN115368388A ,2022-11-22
[7]
双核镝单分子磁体及其制备方法和应用 [P]. 
陈磊 ;
张奔 ;
向毅 ;
赵颖娟 ;
蔡星伟 .
中国专利 :CN115368388B ,2024-03-19
[8]
Co(III)-Co(II)双核钴单分子磁体及其制备方法和应用 [P]. 
陈磊 ;
刘梦瑶 ;
程志杰 ;
田双琴 ;
蔡星伟 ;
袁爱华 .
中国专利 :CN113956297A ,2022-01-21
[9]
六角双锥型单核镝化合物及其制备方法和应用 [P]. 
陈磊 ;
谭鹏飞 ;
程志杰 ;
赵颖娟 ;
蔡星伟 ;
袁爱华 .
中国专利 :CN113980038A ,2022-01-28
[10]
一种镝基单离子磁体材料及其制备方法和应用 [P]. 
陈磊 ;
张春洋 ;
刘梦瑶 ;
袁爱华 ;
蔡星伟 .
中国专利 :CN112341480A ,2021-02-09
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