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高配位镝单离子磁体及其制备方法和应用

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410878504.7
申请日：
2024-07-02
公开(公告)号：
CN118908984B
公开(公告)日：
2025-05-13
发明(设计)人：
陈书阳 孙红先
申请人：
南阳师范学院
申请人地址：
473061 河南省南阳市卧龙区卧龙路1638号
IPC主分类号：
C07F5/00
IPC分类号：
H01F1/42 H01F41/02 C07F5/02
代理机构：
杭州丰禾专利事务所有限公司 33214
代理人：
吴双
法律状态：
公开
国省代码：
河南省 南阳市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-11-08 公开 公开
2025-05-13 授权 授权
2024-11-26 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C07F 5/00申请日:20240702
共 50 条
[1]
高配位镝单离子磁体及其制备方法和应用 [P]. 
陈书阳 ;
孙红先 .
中国专利 :CN118908984A ,2024-11-08
[2]
高能垒镝单离子磁体及其制备方法和应用 [P]. 
陈磊 ;
程志杰 ;
杨亦谋 ;
景蓉 ;
赵颖娟 ;
蔡星伟 ;
郑绍军 .
中国专利 :CN114560881A ,2022-05-31
[3]
零场镝单离子磁体及其制备方法和应用 [P]. 
陈磊 ;
程志杰 ;
景蓉 ;
谭鹏飞 ;
蔡星伟 ;
袁爱华 .
中国专利 :CN114031634A ,2022-02-11
[4]
零场镝单离子磁体及其制备方法和应用 [P]. 
陈磊 ;
程志杰 ;
景蓉 ;
谭鹏飞 ;
蔡星伟 ;
袁爱华 .
中国专利 :CN114031634B ,2024-03-19
[5]
双核镝单分子磁体及其制备方法和应用 [P]. 
陈磊 ;
张奔 ;
向毅 ;
赵颖娟 ;
蔡星伟 .
中国专利 :CN115368388A ,2022-11-22
[6]
双核镝单分子磁体及其制备方法和应用 [P]. 
陈磊 ;
张奔 ;
向毅 ;
赵颖娟 ;
蔡星伟 .
中国专利 :CN115368388B ,2024-03-19
[7]
硒氰根配位的钴单离子磁体及其制备方法与应用 [P]. 
崔会会 ;
王磊鑫 ;
汤艳峰 ;
王金 ;
王淼 ;
孙同明 ;
丁津津 .
中国专利 :CN119823193A ,2025-04-15
[8]
零场单核钴单分子磁体及其制备方法和应用 [P]. 
陈书阳 ;
孙红先 .
中国专利 :CN120329359A ,2025-07-18
[9]
一种镝基单离子磁体材料及其制备方法和应用 [P]. 
陈磊 ;
张春洋 ;
刘梦瑶 ;
袁爱华 ;
蔡星伟 .
中国专利 :CN112341480A ,2021-02-09
[10]
一种四配位钴单离子磁体及其合成方法和应用 [P]. 
崔会会 ;
唐子洋 ;
徐红娟 ;
汤艳峰 ;
王金 ;
王淼 ;
孙同明 ;
丁津津 .
中国专利 :CN118063522A ,2024-05-24
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