一种Co零维单分子磁体材料和制备方法及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310744435.2

申请日：

2013-12-30

公开(公告)号：

CN103714932A

公开(公告)日：

2014-04-09

发明(设计)人：

谢亚勃郑海洋李建荣

申请人：

申请人地址：

100124 北京市朝阳区平乐园100号

IPC主分类号：

H01F142

IPC分类号：

C07D23364

代理机构：

北京思海天达知识产权代理有限公司 11203

代理人：

张慧

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-23	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01F 1/42 登记生效日:20200929 变更事项:专利权人变更前权利人:北京中联浩科技服务有限公司变更后权利人:优标易站（苏州）电子商务有限公司变更事项:地址变更前权利人:100089 北京市海淀区花园路2号牡丹创业楼4层1424室变更后权利人:215600 江苏省苏州市张家港市杨舍镇华昌路沙洲湖科创园A-1幢20楼0002工位（集群登记）
2016-04-20	授权	授权
2014-04-09	公开	公开
2014-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582048245 IPC(主分类):H01F 1/42 专利申请号:2013107444352 申请日:20131230
2020-10-23	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01F 1/42 登记生效日:20200929 变更事项:专利权人变更前权利人:北京工业大学变更后权利人:北京中联浩科技服务有限公司变更事项:地址变更前权利人:100124 北京市朝阳区平乐园100号变更后权利人:100089 北京市海淀区花园路2号牡丹创业楼4层1424室

共 50 条

[1]

一种Mn的零维单分子磁体材料和制备方法及其应用 [P].

谢亚勃 ;

郑海洋 ;

李建荣 .

中国专利 :CN103714933B ,2014-04-09

[2]

一种Mn的有机配位零维单分子磁体材料、制备方法及其应用 [P].

谢亚勃 ;

郑海洋 ;

李建荣 .

中国专利 :CN103709200A ,2014-04-09

[3]

Co(III)-Co(II)双核钴单分子磁体及其制备方法和应用 [P].

陈磊 ;

刘梦瑶 ;

程志杰 ;

田双琴 ;

蔡星伟 ;

袁爱华 .

中国专利 :CN113956297A ,2022-01-21

[4]

零场单核钴单分子磁体及其制备方法和应用 [P].

陈书阳 ;

孙红先 .

中国专利 :CN120329359A ,2025-07-18

[5]

零场镝单离子磁体及其制备方法和应用 [P].

陈磊 ;

程志杰 ;

景蓉 ;

谭鹏飞 ;

蔡星伟 ;

袁爱华 .

中国专利 :CN114031634A ,2022-02-11

[6]

零场镝单离子磁体及其制备方法和应用 [P].

陈磊 ;

程志杰 ;

景蓉 ;

谭鹏飞 ;

蔡星伟 ;

袁爱华 .

中国专利 :CN114031634B ,2024-03-19

[7]

双核镝单分子磁体及其制备方法和应用 [P].

陈磊 ;

张奔 ;

向毅 ;

赵颖娟 ;

蔡星伟 .

中国专利 :CN115368388A ,2022-11-22

[8]

双核镝单分子磁体及其制备方法和应用 [P].

陈磊 ;

张奔 ;

向毅 ;

赵颖娟 ;

蔡星伟 .

中国专利 :CN115368388B ,2024-03-19

[9]

一种五核稀土单分子磁体、制备方法及其应用 [P].

王金 ;

李嘉欣 ;

郑祺 ;

孙程远 ;

朱金丽 ;

孙同明 ;

王丹琪 .

中国专利 :CN117924332A ,2024-04-26

[10]

一种双镝基单分子磁体材料及其制备方法 [P].

王瑞 .

中国专利 :CN115772182B ,2024-09-03

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