一种单晶硅的制备方法及单晶硅

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510062662.X

申请日：

2025-01-15

公开(公告)号：

CN119877082A

公开(公告)日：

2025-04-25

发明(设计)人：

陈永亮乔乐武辉付明全徐志群

申请人：

四川高景太阳能科技有限公司高景太阳能股份有限公司

申请人地址：

644000 四川省宜宾市叙州区高场镇高新社区金润产业园72栋1楼12号

IPC主分类号：

C30B15/00

IPC分类号：

C30B15/20 C30B29/06

代理机构：

北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463

代理人：

徐炀

法律状态：

公开

国省代码：

广东省珠海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	公开	公开
2025-05-13	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 15/00申请日:20250115

共 50 条

[1]

单晶硅的制备方法和单晶硅 [P].

张玲玲 ;

张华利 ;

周声浪 ;

陈宗霆 ;

宋亚飞 ;

周洁 .

中国专利 :CN119753819A ,2025-04-04

[2]

单晶炉及单晶硅制备方法 [P].

赵玉智 ;

欧子杨 ;

陈占仓 ;

魏建兴 ;

蔡辉 .

中国专利 :CN119433688A ,2025-02-14

[3]

单晶硅的制造方法及单晶硅 [P].

横山龙介 ;

藤原俊幸 .

中国专利 :CN108291327A ,2018-07-17

[4]

单晶硅的制备方法 [P].

富田真一 .

中国专利 :CN105780105A ,2016-07-20

[5]

单晶硅棒氧浓度控制方法、单晶硅棒制备方法及单晶硅棒 [P].

王鹏 ;

王雪 ;

杨佐东 .

中国专利 :CN120082969A ,2025-06-03

[6]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

日本专利 :CN114929950B ,2024-08-23

[7]

单晶硅的制造方法、单晶硅及硅晶片 [P].

伊关崇志 ;

鸣嶋康人 .

中国专利 :CN114929950A ,2022-08-19

[8]

单晶硅晶片及单晶硅的制造方法 [P].

樱田昌弘 ;

小林武史 ;

森达生 ;

布施川泉 ;

太田友彦 .

中国专利 :CN1406292A ,2003-03-26

[9]

一种单晶硅收尾方法及单晶硅制备方法 [P].

司佳勇 ;

周浩 ;

尚繁 .

中国专利 :CN104372399A ,2015-02-25

[10]

单晶炉及单晶硅制备方法 [P].

欧子杨 ;

杨宇昂 ;

向鹏 .

中国专利 :CN114197033A ,2022-03-18

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