一种垂直型MOSFET芯片的封装结构的封装方法

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专利类型
发明
申请号
CN202210604701.0
申请日
2022-05-31
公开(公告)号
CN114975130B
公开(公告)日
2025-04-29
发明(设计)人
张黎
申请人
浙江禾芯集成电路有限公司
申请人地址
314112 浙江省嘉兴市嘉善县惠民街道钱塘江路189号H座
IPC主分类号
H01L21/48
IPC分类号
H01L21/56 H01L23/367 H01L23/48 H01L23/495
代理机构
南京经纬专利商标代理有限公司 32200
代理人
朱小兵
法律状态
授权
国省代码
浙江省 嘉兴市
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共 50 条
[1]
一种垂直型MOSFET芯片的封装结构的封装方法 [P]. 
张黎 .
中国专利 :CN114937606B ,2025-08-05
[2]
一种垂直型MOSFET芯片的封装结构的封装方法 [P]. 
张黎 .
中国专利 :CN114937606A ,2022-08-23
[3]
一种垂直型MOSFET芯片的封装结构 [P]. 
张黎 .
中国专利 :CN218274584U ,2023-01-10
[4]
一种垂直型MOSFET芯片的封装结构的封装方法 [P]. 
张黎 .
中国专利 :CN114937605B ,2025-07-01
[5]
一种垂直型MOSFET芯片的封装结构的封装方法 [P]. 
张黎 .
中国专利 :CN114937605A ,2022-08-23
[6]
一种MOSFET的封装结构 [P]. 
吴志明 .
中国专利 :CN210429780U ,2020-04-28
[7]
一种应用于平面型功率器件的封装结构的封装方法 [P]. 
张黎 .
中国专利 :CN115394657A ,2022-11-25
[8]
一种应用于平面型功率器件的封装结构的封装方法 [P]. 
张黎 .
中国专利 :CN115394657B ,2024-10-01
[9]
芯片封装结构和芯片封装方法 [P]. 
何正鸿 ;
徐玉鹏 ;
钟磊 ;
李利 ;
李立兵 .
中国专利 :CN120221512A ,2025-06-27
[10]
芯片封装结构和芯片封装方法 [P]. 
何正鸿 ;
徐玉鹏 ;
钟磊 ;
李利 ;
李立兵 .
中国专利 :CN120221512B ,2025-08-26