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一种垂直型MOSFET芯片的封装结构的封装方法
被引：0
申请号：
CN202210604035.0
申请日：
2022-05-31
公开(公告)号：
CN114937605A
公开(公告)日：
2022-08-23
发明(设计)人：
张黎
申请人：
申请人地址：
314112 浙江省嘉兴市嘉善县惠民街道钱塘江路189号H座
IPC主分类号：
H01L2148
IPC分类号：
H01L2156
H01L23367
H01L2348
H01L23495
代理机构：
南京经纬专利商标代理有限公司 32200
代理人：
朱小兵
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-09-09 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/48 申请日:20220531 |
| 2022-08-23 | 公开 | 公开 |