具有手性自旋轨道转矩金属电极的MRAM结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380068564.6

申请日：

2023-09-12

公开(公告)号：

CN119949076A

公开(公告)日：

2025-05-06

发明(设计)人：

P·哈希米孙赞红

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约阿芒克

IPC主分类号：

H10N50/20

IPC分类号：

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

丁君军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-06	公开	公开
2025-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 50/20申请日:20230912

共 50 条

[1]

具有双层自旋轨道矩（SOT）金属的SOT MRAM [P].

P·哈希米 ;

C·萨弗兰斯基 .

美国专利 :CN119998882A ,2025-05-13

[2]

高阻挡温度自旋轨道转矩电极 [P].

T·戈萨维 ;

S·马尼帕特鲁尼 ;

K·奥古兹 ;

I·扬 ;

K·奥布莱恩 ;

G·艾伦 ;

N·佐都 .

中国专利 :CN110323330A ,2019-10-11

[3]

受保护的活性金属电极、锂金属电极及具有此电极的元件 [P].

吴金宝 ;

蔡丽端 ;

张嘉珍 ;

吕明生 ;

黄震宇 ;

李俊龙 .

中国专利 :CN103915604B ,2014-07-09

[4]

金属电极结构的制造方法 [P].

张瑞朋 ;

丁敬秀 .

中国专利 :CN106553992A ,2017-04-05

[5]

金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件 [P].

富坂学 ;

小岛久稔 ;

新美彰浩 .

中国专利 :CN101261946B ,2008-09-10

[6]

金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件 [P].

富坂学 ;

小岛久稔 ;

新美彰浩 .

中国专利 :CN101707193A ,2010-05-12

[7]

金属电极形成方法和具有金属电极的半导体器件 [P].

富坂学 ;

小岛久稔 ;

新美彰浩 .

中国专利 :CN101789381A ,2010-07-28

[8]

用于MRAM的进动自旋电流结构 [P].

M·M·皮纳尔巴锡 ;

M·楚弗拉斯 ;

B·A·考尔达斯 .

中国专利 :CN107750382B ,2018-03-02

[9]

具有自旋霍尔MTJ器件的交叉点阵列MRAM [P].

S·马尼帕特鲁尼 ;

D·E·尼科诺夫 ;

I·A·扬 .

中国专利 :CN104995682B ,2015-10-21

[10]

金属电极的制备方法、金属电极及显示面板 [P].

鲜济遥 ;

周佑联 ;

许哲豪 ;

袁海江 .

中国专利 :CN113053741A ,2021-06-29

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