半导体结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310174767.5

申请日：

2023-02-23

公开(公告)号：

CN115988876B

公开(公告)日：

2025-05-30

发明(设计)人：

曹新满

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-30	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及其制备方法 [P].

曹新满 ;

吴耆贤 ;

黄炜 .

中国专利 :CN116017976B ,2025-12-05

[2]

半导体结构及其制备方法 [P].

薛兴坤 ;

李泽伦 ;

刘晓阳 ;

徐汉东 ;

朴仁鎬 ;

李辉 ;

顾婷婷 .

中国专利 :CN118899220A ,2024-11-05

[3]

半导体结构及其制备方法 [P].

薛兴坤 ;

李泽伦 ;

刘晓阳 ;

徐汉东 ;

朴仁鎬 ;

李辉 ;

顾婷婷 .

中国专利 :CN118899220B ,2025-10-21

[4]

半导体结构及其制备方法 [P].

李永祥 ;

李杰 ;

邓柱超 .

中国专利 :CN120417376A ,2025-08-01

[5]

半导体结构及其制备方法 [P].

黄鑫 ;

李弘祥 ;

王士欣 .

中国专利 :CN112864156A ,2021-05-28

[6]

半导体结构及其制备方法 [P].

章慧 ;

刘小平 ;

徐玉婷 ;

陈小龙 ;

王春阳 .

中国专利 :CN119252815B ,2025-10-03

[7]

半导体结构及其制备方法 [P].

田志 ;

梁启超 ;

邵华 ;

陈昊瑜 .

中国专利 :CN112397518B ,2024-02-27

[8]

半导体结构及其制备方法 [P].

刘琳 .

中国专利 :CN117334631A ,2024-01-02

[9]

半导体结构及其制备方法 [P].

孟雅 ;

徐亚超 .

中国专利 :CN117995883A ,2024-05-07

[10]

半导体结构及其制备方法 [P].

尤康 ;

潘唐钰 .

中国专利 :CN117560924A ,2024-02-13

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