多层电子组件、电子组件和电子装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411635113.9

申请日：

2024-11-15

公开(公告)号：

CN120015521A

公开(公告)日：

2025-05-16

发明(设计)人：

金教植俞洗莹

申请人：

三星电机株式会社

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01G4/232

IPC分类号：

H01G4/12 H01G4/30

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

张红;孙丽妍

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-16	公开	公开

共 50 条

[1]

多层电子组件 [P].

金显倬 ;

崔亨综 ;

郑永彬 ;

李忠垠 .

韩国专利 :CN119993741A ,2025-05-13

[2]

多层电子组件 [P].

刘陈烨 .

韩国专利 :CN119993740A ,2025-05-13

[3]

多层电子组件、具有多层电子组件的板及电子装置 [P].

朴兴吉 ;

朴世训 ;

池求愿 .

中国专利 :CN109036845B ,2018-12-18

[4]

多层电子组件 [P].

刘正勳 ;

李知贤 ;

柳东建 ;

曺银慧 .

韩国专利 :CN119811896A ,2025-04-11

[5]

多层电子组件 [P].

朴允娥 ;

李冈夏 ;

崔惠英 ;

姜同河 ;

李哲承 .

韩国专利 :CN117650011A ,2024-03-05

[6]

多层电子组件 [P].

郑永彬 ;

崔亨综 ;

尹宽熙 ;

金显倬 ;

李镇星 ;

鲁富旻 ;

金敏佑 .

韩国专利 :CN119993739A ,2025-05-13

[7]

多层电子组件和制造多层电子组件的方法 [P].

朴债元 ;

崔亨综 ;

李忠垠 ;

金容敏 ;

李相贤 ;

许才恩 .

韩国专利 :CN120376338A ,2025-07-25

[8]

多层电子组件和制造多层电子组件的方法 [P].

金泰亨 ;

朴文秀 ;

刘志贤 ;

蒋进佑 .

中国专利 :CN114724850A ,2022-07-08

[9]

多层电子组件和制造多层电子组件的方法 [P].

尹硕晛 ;

田仁浩 ;

朴然庭 ;

金珍友 ;

金美良 ;

朴世允 .

韩国专利 :CN117352300A ,2024-01-05

[10]

多层电子组件和制造多层电子组件的方法 [P].

尹硕晛 ;

权亨纯 ;

郑汉胜 ;

金亨旭 ;

尹秉吉 .

韩国专利 :CN121171788A ,2025-12-19

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