基于负电容寄生电容校准的电容传感器读出电路和寄生电容校准方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510040454.X

申请日：

2025-01-10

公开(公告)号：

CN120017056A

公开(公告)日：

2025-05-16

发明(设计)人：

蒋旻格叶深徐佳伟

申请人：

复旦大学

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

H03M1/10

IPC分类号：

G01D5/24 G01D18/00 H03M1/46

代理机构：

上海正旦专利代理有限公司 31200

代理人：

王洁平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H03M 1/10申请日:20250110
2025-05-16	公开	公开

共 50 条

[1]

寄生电容测试结构及寄生电容提取方法 [P].

王斐 ;

商干兵 .

中国专利 :CN118248576A ,2024-06-25

[2]

具有释放寄生电容电路的器件及释放寄生电容电路 [P].

陈波 .

中国专利 :CN117375592A ,2024-01-09

[3]

寄生电容测试方法 [P].

李佳俊 .

中国专利 :CN119291441A ,2025-01-10

[4]

降低寄生电容的方法 [P].

姜兰 .

中国专利 :CN118486653A ,2024-08-13

[5]

传感器接口中的寄生电容抵消 [P].

劳里·伊尔马里·利帕斯蒂 ;

尤卡·萨卡里·里希亚霍 .

中国专利 :CN102955608A ,2013-03-06

[6]

栅极寄生电容建模方法 [P].

陈静 ;

葛浩 ;

吕迎欢 ;

谢甜甜 ;

王青 .

中国专利 :CN113642277A ,2021-11-12

[7]

监测寄生电容的结构 [P].

余达强 .

中国专利 :CN104465432A ,2015-03-25

[8]

栅极寄生电容建模方法 [P].

陈静 ;

葛浩 ;

吕迎欢 ;

谢甜甜 ;

王青 .

中国专利 :CN113642277B ,2024-12-27

[9]

排除寄生电容影响的电容感测电路 [P].

黄宗文 .

中国专利 :CN103440073A ,2013-12-11

[10]

可降低寄生电容的ESD保护电路及降低ESD寄生电容的方法 [P].

李祥宇 ;

金上 ;

林丙村 ;

雷家正 ;

林余杰 .

中国专利 :CN112563259A ,2021-03-26

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