寄生电容测试方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411565401.1

申请日：

2024-11-04

公开(公告)号：

CN119291441A

公开(公告)日：

2025-01-10

发明(设计)人：

李佳俊

申请人：

无锡芯卓湖光半导体有限公司

申请人地址：

214072 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777(A3)幢10层

IPC主分类号：

G01R31/26

IPC分类号：

G01R27/26

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-01-10	公开	公开
2025-01-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01R 31/26申请日:20241104

共 50 条

[1]

寄生电容测试结构及寄生电容提取方法 [P].

王斐 ;

商干兵 .

中国专利 :CN118248576A ,2024-06-25

[2]

寄生电容的测试电路和测试方法 [P].

孙杰 ;

郁玉玲 ;

王艳辉 .

中国专利 :CN113884853A ,2022-01-04

[3]

寄生电容的测试结构及测试方法 [P].

牛刚 .

中国专利 :CN117727737A ,2024-03-19

[4]

寄生电容的测试电路和测试方法 [P].

孙杰 ;

郁玉玲 ;

王艳辉 .

中国专利 :CN113884853B ,2025-03-04

[5]

监测寄生电容的结构 [P].

余达强 .

中国专利 :CN104465432A ,2015-03-25

[6]

FinFET的寄生电容测试结构和方法 [P].

汪雪娇 ;

石晶 ;

徐翠芹 ;

刘巍 .

中国专利 :CN114038835B ,2025-01-28

[7]

FinFET的寄生电容测试结构和方法 [P].

汪雪娇 ;

石晶 ;

徐翠芹 ;

刘巍 .

中国专利 :CN114038835A ,2022-02-11

[8]

降低寄生电容的方法 [P].

姜兰 .

中国专利 :CN118486653A ,2024-08-13

[9]

栅极寄生电容建模方法 [P].

陈静 ;

葛浩 ;

吕迎欢 ;

谢甜甜 ;

王青 .

中国专利 :CN113642277A ,2021-11-12

[10]

栅极寄生电容建模方法 [P].

陈静 ;

葛浩 ;

吕迎欢 ;

谢甜甜 ;

王青 .

中国专利 :CN113642277B ,2024-12-27

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