寄生电容的测试结构及测试方法

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专利类型
发明
申请号
CN202211101195.X
申请日
2022-09-09
公开(公告)号
CN117727737A
公开(公告)日
2024-03-19
发明(设计)人
牛刚
申请人
中芯国际集成电路制造(天津)有限公司 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址
300385 天津市西青区兴华道19号
IPC主分类号
H01L23/544
IPC分类号
H01L21/66
代理机构
北京市一法律师事务所 11654
代理人
樊文娜;刘荣娟
法律状态
公开
国省代码
河北省 衡水市
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共 50 条
[1]
寄生电容测试结构及寄生电容提取方法 [P]. 
王斐 ;
商干兵 .
中国专利 :CN118248576A ,2024-06-25
[2]
寄生电容测试方法 [P]. 
李佳俊 .
中国专利 :CN119291441A ,2025-01-10
[3]
寄生电容的测试电路和测试方法 [P]. 
孙杰 ;
郁玉玲 ;
王艳辉 .
中国专利 :CN113884853A ,2022-01-04
[4]
寄生电容的测试电路和测试方法 [P]. 
孙杰 ;
郁玉玲 ;
王艳辉 .
中国专利 :CN113884853B ,2025-03-04
[5]
FinFET的寄生电容测试结构和方法 [P]. 
汪雪娇 ;
石晶 ;
徐翠芹 ;
刘巍 .
中国专利 :CN114038835B ,2025-01-28
[6]
FinFET的寄生电容测试结构和方法 [P]. 
汪雪娇 ;
石晶 ;
徐翠芹 ;
刘巍 .
中国专利 :CN114038835A ,2022-02-11
[7]
HKMG寄生电容测试结构的版图 [P]. 
雷海波 ;
汪雪娇 ;
石晶 ;
刘巍 ;
张亮 ;
徐翠芹 .
中国专利 :CN115020379B ,2025-01-24
[8]
HKMG寄生电容测试结构的版图 [P]. 
雷海波 ;
汪雪娇 ;
石晶 ;
刘巍 ;
张亮 ;
徐翠芹 .
中国专利 :CN115020379A ,2022-09-06
[9]
存储器的寄生电容测试结构 [P]. 
张弓 ;
王颖倩 .
中国专利 :CN105448349A ,2016-03-30
[10]
一种测试结构及栅极寄生电容的校准方法 [P]. 
张倩倩 ;
韩志永 ;
刘慧 .
中国专利 :CN119381386A ,2025-01-28