寄生电容的测试电路和测试方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111031915.5

申请日：

2021-09-03

公开(公告)号：

CN113884853B

公开(公告)日：

2025-03-04

发明(设计)人：

孙杰郁玉玲王艳辉

申请人：

上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司上海集成电路研发中心有限公司

申请人地址：

201800 上海市嘉定区叶城路1288号6幢JT2216室

IPC主分类号：

G01R31/28

IPC分类号：

G01R27/26

代理机构：

上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286

代理人：

黄海霞

法律状态：

授权

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-04	授权	授权

共 50 条

[1]

寄生电容的测试电路和测试方法 [P].

孙杰 ;

郁玉玲 ;

王艳辉 .

中国专利 :CN113884853A ,2022-01-04

[2]

寄生电容测试方法 [P].

李佳俊 .

中国专利 :CN119291441A ,2025-01-10

[3]

寄生电容测试结构及寄生电容提取方法 [P].

王斐 ;

商干兵 .

中国专利 :CN118248576A ,2024-06-25

[4]

用于检测TSV的寄生电容的测试电路 [P].

眞壁晴空 .

中国专利 :CN114076851A ,2022-02-22

[5]

用于检测TSV的寄生电容的测试电路 [P].

眞壁晴空 .

美国专利 :CN114076851B ,2024-05-24

[6]

寄生电容的测试结构及测试方法 [P].

牛刚 .

中国专利 :CN117727737A ,2024-03-19

[7]

FinFET的寄生电容测试结构和方法 [P].

汪雪娇 ;

石晶 ;

徐翠芹 ;

刘巍 .

中国专利 :CN114038835B ,2025-01-28

[8]

FinFET的寄生电容测试结构和方法 [P].

汪雪娇 ;

石晶 ;

徐翠芹 ;

刘巍 .

中国专利 :CN114038835A ,2022-02-11

[9]

存储器的寄生电容测试结构 [P].

张弓 ;

王颖倩 .

中国专利 :CN105448349A ,2016-03-30

[10]

HKMG寄生电容测试结构的版图 [P].

雷海波 ;

汪雪娇 ;

石晶 ;

刘巍 ;

张亮 ;

徐翠芹 .

中国专利 :CN115020379B ,2025-01-24

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