一种用于有瑕疵的金刚石籽晶的MPCVD单晶金刚石生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311569851.3

申请日：

2023-11-22

公开(公告)号：

CN120026389A

公开(公告)日：

2025-05-23

发明(设计)人：

张新峰高欣

申请人：

江苏卓远半导体有限公司

申请人地址：

226500 江苏省南通市如皋高新区城南街道电信东一路6号

IPC主分类号：

C30B25/00

IPC分类号：

C30B29/04

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-23	公开	公开
2025-06-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/00申请日:20231122

共 50 条

[1]

用于含裂纹籽晶的MPCVD单晶金刚石的生长方法 [P].

朱嘉琦 ;

李一村 ;

代兵 ;

郝晓斌 .

中国专利 :CN114232086B ,2022-03-25

[2]

MPCVD单晶金刚石生长钼托及单晶金刚石的生长方法 [P].

马孟宇 ;

蔚翠 ;

郭建超 ;

刘庆斌 ;

王亚伟 ;

周闯杰 ;

何泽召 ;

冯志红 .

中国专利 :CN114686971A ,2022-07-01

[3]

单晶金刚石外延生长方法、单晶金刚石及其片状籽晶 [P].

张军安 .

中国专利 :CN112048760A ,2020-12-08

[4]

一种基于MPCVD的金刚石单晶生长方法 [P].

张新峰 ;

吴志亮 ;

周磊峰 ;

缪勇 .

中国专利 :CN117947512A ,2024-04-30

[5]

金刚石籽晶制备方法、金刚石籽晶及单晶 [P].

彭燕 ;

王希玮 ;

胡小波 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN110281142A ,2019-09-27

[6]

用于金刚石单晶生长的MPCVD装置 [P].

朱嘉琦 ;

郝晓斌 ;

李一村 ;

代兵 ;

刘雪冬 .

中国专利 :CN113957522A ,2022-01-21

[7]

一种用于单晶金刚石生长的支架结构、一种单晶金刚石的生长方法 [P].

李凯 ;

陈超 ;

张俊 ;

莫培程 ;

陈家荣 ;

潘晓毅 .

中国专利 :CN118441350A ,2024-08-06

[8]

一种生长金刚石单晶用样品托及金刚石单晶生长方法 [P].

丁雄傑 ;

王忠强 ;

王琦 ;

张国义 .

中国专利 :CN111074343A ,2020-04-28

[9]

一种MPCVD单晶金刚石拼接生长方法 [P].

朱嘉琦 ;

李一村 ;

代兵 ;

郝晓斌 ;

文东岳 .

中国专利 :CN114411250A ,2022-04-29

[10]

一种MPCVD生长单晶金刚石的调温方法 [P].

纪生晓 ;

周良杰 ;

杨霄 ;

王临喜 ;

陈涛 ;

张能健 ;

陈秀华 ;

杨张泉 .

中国专利 :CN114134564A ,2022-03-04

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