一种基于MPCVD的金刚石单晶生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311793469.0

申请日：

2023-12-22

公开(公告)号：

CN117947512A

公开(公告)日：

2024-04-30

发明(设计)人：

张新峰吴志亮周磊峰缪勇

申请人：

江苏卓远半导体有限公司

申请人地址：

226500 江苏省南通市如皋高新区城南街道电信东一路6号

IPC主分类号：

C30B29/04

IPC分类号：

C23C16/511 C30B25/16

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-30	公开	公开
2024-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/04申请日:20231222

共 50 条

[1]

一种MPCVD单晶金刚石拼接生长方法 [P].

朱嘉琦 ;

李一村 ;

代兵 ;

郝晓斌 ;

文东岳 .

中国专利 :CN114411250A ,2022-04-29

[2]

MPCVD单晶金刚石生长钼托及单晶金刚石的生长方法 [P].

马孟宇 ;

蔚翠 ;

郭建超 ;

刘庆斌 ;

王亚伟 ;

周闯杰 ;

何泽召 ;

冯志红 .

中国专利 :CN114686971A ,2022-07-01

[3]

一种用于有瑕疵的金刚石籽晶的MPCVD单晶金刚石生长方法 [P].

张新峰 ;

高欣 .

中国专利 :CN120026389A ,2025-05-23

[4]

单晶金刚石生长方法和装置 [P].

汤朝晖 ;

高冰 ;

刘胜 ;

汪启军 ;

张磊 ;

潘俊衡 ;

谢英 .

中国专利 :CN108315816B ,2018-07-24

[5]

用于含裂纹籽晶的MPCVD单晶金刚石的生长方法 [P].

朱嘉琦 ;

李一村 ;

代兵 ;

郝晓斌 .

中国专利 :CN114232086B ,2022-03-25

[6]

一种用于金刚石单晶生长的MPCVD装置及生长方法 [P].

龚闯 ;

满卫东 ;

蒋梅荣 ;

杨春梅 ;

杨武 .

中国专利 :CN115044970A ,2022-09-13

[7]

用于金刚石单晶生长的MPCVD装置 [P].

朱嘉琦 ;

郝晓斌 ;

李一村 ;

代兵 ;

刘雪冬 .

中国专利 :CN113957522A ,2022-01-21

[8]

一种基于MPCVD可防止籽晶漂移的金刚石生长方法 [P].

张新峰 ;

吴志亮 .

中国专利 :CN117904715A ,2024-04-19

[9]

一种基于MPCVD微下降法单晶金刚石生长方法 [P].

柴喜红 ;

彭俊杰 ;

张志伟 ;

苏祺 ;

宁景洋 .

中国专利 :CN119465394A ,2025-02-18

[10]

利用固态碳源的无气流MPCVD单晶金刚石生长方法 [P].

朱嘉琦 ;

李一村 ;

代兵 ;

郝晓斌 ;

赵继文 ;

张森 .

中国专利 :CN112877773B ,2021-06-01

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