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一种用于金刚石单晶生长的MPCVD装置及生长方法
被引:0
申请号
:
CN202210668808.1
申请日
:
2022-06-14
公开(公告)号
:
CN115044970A
公开(公告)日
:
2022-09-13
发明(设计)人
:
龚闯
满卫东
蒋梅荣
杨春梅
杨武
申请人
:
申请人地址
:
201799 上海市青浦区华浦路500号2幢西侧
IPC主分类号
:
C30B2502
IPC分类号
:
C30B2514
C30B2904
C23C16511
C23C1627
C23C16455
代理机构
:
上海邦德专利代理事务所(普通合伙) 31312
代理人
:
梁剑
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-09-13
公开
公开
2023-02-10
授权
授权
共 50 条
[1]
用于金刚石单晶生长的MPCVD装置
[P].
朱嘉琦
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朱嘉琦
;
郝晓斌
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郝晓斌
;
李一村
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李一村
;
代兵
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代兵
;
刘雪冬
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刘雪冬
.
中国专利
:CN113957522A
,2022-01-21
[2]
MPCVD单晶金刚石生长钼托及单晶金刚石的生长方法
[P].
马孟宇
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马孟宇
;
蔚翠
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蔚翠
;
郭建超
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郭建超
;
刘庆斌
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刘庆斌
;
王亚伟
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王亚伟
;
周闯杰
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周闯杰
;
何泽召
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何泽召
;
冯志红
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冯志红
.
中国专利
:CN114686971A
,2022-07-01
[3]
一种基于MPCVD的金刚石单晶生长方法
[P].
张新峰
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机构:
江苏卓远半导体有限公司
江苏卓远半导体有限公司
张新峰
;
吴志亮
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机构:
江苏卓远半导体有限公司
江苏卓远半导体有限公司
吴志亮
;
周磊峰
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机构:
江苏卓远半导体有限公司
江苏卓远半导体有限公司
周磊峰
;
缪勇
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机构:
江苏卓远半导体有限公司
江苏卓远半导体有限公司
缪勇
.
中国专利
:CN117947512A
,2024-04-30
[4]
一种用于有瑕疵的金刚石籽晶的MPCVD单晶金刚石生长方法
[P].
张新峰
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机构:
江苏卓远半导体有限公司
江苏卓远半导体有限公司
张新峰
;
高欣
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机构:
江苏卓远半导体有限公司
江苏卓远半导体有限公司
高欣
.
中国专利
:CN120026389A
,2025-05-23
[5]
用于含裂纹籽晶的MPCVD单晶金刚石的生长方法
[P].
朱嘉琦
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朱嘉琦
;
李一村
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李一村
;
代兵
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代兵
;
郝晓斌
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郝晓斌
.
中国专利
:CN114232086B
,2022-03-25
[6]
一种生长金刚石单晶用样品托及金刚石单晶生长方法
[P].
丁雄傑
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丁雄傑
;
王忠强
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王忠强
;
王琦
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王琦
;
张国义
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张国义
.
中国专利
:CN111074343A
,2020-04-28
[7]
一种生长金刚石的MPCVD装置
[P].
郭鋆
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机构:
中南钻石有限公司
中南钻石有限公司
郭鋆
;
张国凯
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机构:
中南钻石有限公司
中南钻石有限公司
张国凯
;
刘厚盛
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机构:
中南钻石有限公司
中南钻石有限公司
刘厚盛
;
李港雨
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机构:
中南钻石有限公司
中南钻石有限公司
李港雨
;
曹通
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机构:
中南钻石有限公司
中南钻石有限公司
曹通
;
翟东升
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中南钻石有限公司
中南钻石有限公司
翟东升
;
杨光
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中南钻石有限公司
中南钻石有限公司
杨光
.
中国专利
:CN220999953U
,2024-05-24
[8]
一种MPCVD单晶金刚石拼接生长方法
[P].
朱嘉琦
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朱嘉琦
;
李一村
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李一村
;
代兵
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代兵
;
郝晓斌
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郝晓斌
;
文东岳
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文东岳
.
中国专利
:CN114411250A
,2022-04-29
[9]
一种金刚石生长托盘、金刚石生长装置及金刚石生长方法
[P].
曾凡初
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机构:
航天科工(长沙)新材料研究院有限公司
航天科工(长沙)新材料研究院有限公司
曾凡初
;
胡清明
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机构:
航天科工(长沙)新材料研究院有限公司
航天科工(长沙)新材料研究院有限公司
胡清明
.
中国专利
:CN117604628A
,2024-02-27
[10]
利用固态碳源的无气流MPCVD单晶金刚石生长方法
[P].
朱嘉琦
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朱嘉琦
;
李一村
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李一村
;
代兵
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代兵
;
郝晓斌
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郝晓斌
;
赵继文
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赵继文
;
张森
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张森
.
中国专利
:CN112877773B
,2021-06-01
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