喷淋装置、反应腔室及薄膜沉积设备

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202421941618.3

申请日：

2024-08-12

公开(公告)号：

CN222886757U

公开(公告)日：

2025-05-20

发明(设计)人：

黄明策野沢俊久

申请人：

拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司

申请人地址：

110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900号

IPC主分类号：

C23C16/455

IPC分类号：

C23C16/52

代理机构：

深圳市精英创新知识产权代理有限公司 44740

代理人：

林燕云

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-20	授权	授权

共 50 条

[1]

喷淋装置、反应腔室及薄膜沉积设备 [P].

黄明策 ;

野沢俊久 .

中国专利 :CN118726947A ,2024-10-01

[2]

反应腔室及薄膜沉积设备 [P].

苏显月 ;

拉海忠 ;

闫晓晖 .

中国专利 :CN118166330A ,2024-06-11

[3]

反应腔室及薄膜沉积设备 [P].

贾强 ;

杨玉杰 .

中国专利 :CN111101097A ,2020-05-05

[4]

薄膜沉积反应腔和薄膜沉积设备 [P].

王政 ;

柴雪 ;

李晶 ;

田云龙 .

中国专利 :CN117448789A ,2024-01-26

[5]

薄膜沉积反应腔和薄膜沉积设备 [P].

王政 ;

柴雪 ;

李晶 ;

田云龙 .

中国专利 :CN117448789B ,2025-04-18

[6]

磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备 [P].

杨玉杰 ;

张同文 ;

马新艳 ;

郑金果 ;

王宽冒 ;

郭浩 ;

贾强 .

中国专利 :CN207331049U ,2018-05-08

[7]

反应腔及薄膜沉积设备 [P].

高菁 ;

尹晶 ;

关帅 ;

齐永恒 ;

吴凤丽 .

中国专利 :CN119553248A ,2025-03-04

[8]

沉积腔室及具有该沉积腔室的薄膜沉积设备 [P].

杜树春 .

中国专利 :CN116575012B ,2024-12-31

[9]

抽气件、反应腔及薄膜沉积设备 [P].

张翔宇 ;

姜彬 ;

吴凤丽 ;

杨华龙 ;

张启辉 ;

高鹏飞 ;

朱晓亮 .

中国专利 :CN223074250U ,2025-07-08

[10]

反应腔室以及薄膜沉积设备 [P].

叶华 ;

刘菲菲 .

中国专利 :CN103510050A ,2014-01-15

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