多晶碳化硅棒及其制备装置和方法以及多晶碳化硅粉体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411578767.2

申请日：

2024-11-07

公开(公告)号：

CN119082862B

公开(公告)日：

2025-05-27

发明(设计)人：

万烨张邦洁陈辉常卓明刘见华

申请人：

洛阳中硅高科技有限公司

申请人地址：

471100 河南省洛阳市孟津县先进制造业开发区华夏大道101号

IPC主分类号：

C23C16/32

IPC分类号：

C30B28/14 C30B29/36

代理机构：

北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463

代理人：

姜旭峰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

河北省石家庄市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 28/14申请日:20241107
2024-12-06	公开	公开
2025-05-27	授权	授权

共 50 条

[1]

多晶碳化硅棒及其制备装置和方法以及多晶碳化硅粉体 [P].

万烨 ;

张邦洁 ;

陈辉 ;

常卓明 ;

刘见华 .

中国专利 :CN119082862A ,2024-12-06

[2]

用于制备多晶碳化硅的装置和方法、多晶碳化硅及其应用 [P].

韩学峰 ;

王安琦 ;

许彬杰 ;

皮孝东 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN120719394A ,2025-09-30

[3]

用于制备多晶碳化硅的装置和方法、多晶碳化硅及其应用 [P].

韩学峰 ;

王安琦 ;

许彬杰 ;

皮孝东 ;

杨德仁 .

中国专利 :CN120719394B ,2025-12-26

[4]

多晶碳化硅承载衬底、键合碳化硅衬底及其制备方法 [P].

柴利林 .

中国专利 :CN119956334A ,2025-05-09

[5]

多晶碳化硅承载衬底、键合碳化硅衬底及其制备方法 [P].

柴利林 .

中国专利 :CN119956333A ,2025-05-09

[6]

多晶碳化硅衬底抛光剂、抛光方法及多晶碳化硅衬底 [P].

郭超 ;

母文凤 .

中国专利 :CN117304814B ,2024-03-12

[7]

多晶碳化硅基板及其制造方法 [P].

B·马格努松林德格 ;

A·埃利森 ;

C·里瓦 .

中国专利 :CN118727148A ,2024-10-01

[8]

碳化硅粉体 [P].

长谷和人 .

中国专利 :CN105324331A ,2016-02-10

[9]

碳化硅粉体 [P].

长谷和人 .

中国专利 :CN105324332A ,2016-02-10

[10]

碳化硅多晶衬底及制造多片碳化硅多晶衬底的方法 [P].

黄秀松 ;

刘福超 ;

母凤文 ;

郭超 ;

谭向虎 .

中国专利 :CN121087616A ,2025-12-09

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