一种具有硫空位点缺陷的少层过渡金属硫族化合物的制备方法及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410716812.X

申请日：

2024-06-04

公开(公告)号：

CN118724064B

公开(公告)日：

2025-06-06

发明(设计)人：

刘雅杰慕飞燕邰志新

申请人：

江门双碳实验室

申请人地址：

529199 广东省江门市新会区今洲路29号

IPC主分类号：

C01G39/06

IPC分类号：

H01M4/58 H01M10/054 C01G23/00 C01G41/00 C01G51/15 C01G30/00 B82Y30/00 B82Y40/00

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

赵崇杨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-10-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01G 39/06申请日:20240604
2024-10-01	公开	公开
2025-06-06	授权	授权

共 50 条

[1]

一种具有硫空位点缺陷的少层过渡金属硫族化合物的制备方法及其应用 [P].

刘雅杰 ;

慕飞燕 ;

邰志新 .

中国专利 :CN118724064A ,2024-10-01

[2]

一种利用空位缺陷调节过渡金属硫族化合物宽光谱探测的方法 [P].

张永哲 ;

马洋 ;

李景涛 .

中国专利 :CN116924352B ,2025-12-12

[3]

膨胀过渡金属硫族化合物的制备方法 [P].

杨树斌 ;

杜志国 .

中国专利 :CN110902657B ,2020-03-24

[4]

过渡金属硫族化合物单晶及其制备方法 [P].

时玉萌 .

中国专利 :CN113249793B ,2021-08-13

[5]

一种过渡金属硫族化合物及其制备方法与应用 [P].

张培新 ;

杨明 ;

王艳宜 ;

马定涛 .

中国专利 :CN118289797A ,2024-07-05

[6]

一种硫族元素化合物晶片辅助局域生长过渡金属硫族化合物的方法 [P].

刘开辉 ;

左勇刚 ;

刘灿 .

中国专利 :CN113511681B ,2021-10-19

[7]

一种制备单晶过渡金属硫族化合物的方法 [P].

徐小志 ;

郑培铭 ;

梁智华 ;

唐志列 .

中国专利 :CN114959903B ,2024-01-09

[8]

一种富含阴离子空位的过渡金属硫族化合物/碳复合材料及其制备方法和应用 [P].

王贝贝 ;

王刚 ;

马生华 ;

焦筱娟 ;

王惠 .

中国专利 :CN112397699A ,2021-02-23

[9]

一种NaOH插层过渡金属硫族化合物及其制备方法和应用 [P].

赖晓芳 ;

任宇蓉 ;

简基康 ;

郭旻皓 .

中国专利 :CN110615411A ,2019-12-27

[10]

过渡金属硫族化合物的层数确定方法 [P].

孙华锐 ;

邹波 ;

周宇 .

中国专利 :CN114923879B ,2025-09-05

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