一种富含阴离子空位的过渡金属硫族化合物/碳复合材料及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011282462.9

申请日：

2020-11-16

公开(公告)号：

CN112397699A

公开(公告)日：

2021-02-23

发明(设计)人：

王贝贝王刚马生华焦筱娟王惠

申请人：

申请人地址：

710069 陕西省西安市太白北路229号

IPC主分类号：

H01M436

IPC分类号：

H01M458 H01M462 H01M4136 H01M41397 H01M404 H01M10054 H01M10058 C01B1900 C01B3205

代理机构：

哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213

代理人：

侯静

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01M 4/36 申请日:20201116
2021-08-13	授权	授权
2021-02-23	公开	公开

共 50 条

[1]

过渡金属硫属化合物复合材料及其制备方法和应用 [P].

唐永炳 ;

张阁 ;

欧学武 .

中国专利 :CN110690419B ,2020-01-14

[2]

一种碳复合的硫族化合物复合材料及其制备方法和应用 [P].

张隆 ;

刘艳艳 .

中国专利 :CN110336012A ,2019-10-15

[3]

一种过渡金属碳化物、碳材料、过渡金属硫属化合物的制备方法和应用 [P].

王波 ;

王伟 ;

李冲 ;

张迪 ;

王秋君 ;

李文 .

中国专利 :CN110921668B ,2020-03-27

[4]

一种过渡金属硫族化合物薄层材料及其制备方法和应用 [P].

成会明 ;

蔡正阳 ;

赖泳爵 ;

刘碧录 .

中国专利 :CN110257800B ,2019-09-20

[5]

一种过渡金属硫族化合物薄层材料及其制备方法和应用 [P].

刘碧录 ;

吴沁柯 ;

农慧雨 ;

唐磊 ;

成会明 .

中国专利 :CN114855144A ,2022-08-05

[6]

一种具有硫空位点缺陷的少层过渡金属硫族化合物的制备方法及其应用 [P].

刘雅杰 ;

慕飞燕 ;

邰志新 .

中国专利 :CN118724064B ,2025-06-06

[7]

一种具有硫空位点缺陷的少层过渡金属硫族化合物的制备方法及其应用 [P].

刘雅杰 ;

慕飞燕 ;

邰志新 .

中国专利 :CN118724064A ,2024-10-01

[8]

一种过渡金属硫族化合物及其制备方法和应用 [P].

孙永福 ;

徐嘉麒 ;

谢毅 .

中国专利 :CN108569678A ,2018-09-25

[9]

一种碱金属离子插层过渡金属硫族化合物及其制备方法和应用 [P].

黄庆 ;

高琳 ;

李勉 .

中国专利 :CN116621218B ,2025-10-10

[10]

一种二维过渡金属硫族化合物-碳复合材料的制备方法 [P].

杜辉 ;

张丽华 ;

陈照军 ;

段雅静 .

中国专利 :CN111014249B ,2020-04-17

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