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用于离子注入仿真的方法、电子设备及存储介质
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510457522.2
申请日：
2025-04-11
公开(公告)号：
CN119989740A
公开(公告)日：
2025-05-13
发明(设计)人：
请求不公布姓名
请求不公布姓名
申请人：
全芯智造技术有限公司
申请人地址：
230088 安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期J2C栋13楼
IPC主分类号：
G06F30/20
IPC分类号：
代理机构：
北京市金杜律师事务所 11256
代理人：
张宁;潘树志
法律状态：
授权
国省代码：
江苏省
常州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-07-18 | 授权 | 授权 |
| 2025-05-30 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):G06F 30/20申请日:20250411 |
| 2025-05-13 | 公开 | 公开 |