用于半导体工艺器件仿真的方法、电子设备及存储介质

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专利类型
发明
申请号
CN202411690758.2
申请日
2024-11-22
公开(公告)号
CN119203274B
公开(公告)日
2025-03-04
发明(设计)人
请求不公布姓名
申请人
全芯智造技术有限公司
申请人地址
230088 安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期J2C栋13楼
IPC主分类号
G06F30/10
IPC分类号
G06F30/12
代理机构
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
潘树志
法律状态
公开
国省代码
江苏省 常州市
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共 50 条
[1]
用于半导体工艺器件仿真的方法、电子设备及存储介质 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN119203274A ,2024-12-27
[2]
用于半导体工艺器件仿真的方法、模型、电子设备及存储介质 [P]. 
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN119150390A ,2024-12-17
[3]
用于半导体器件的仿真方法、电子设备及存储介质 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN120995104A ,2025-11-21
[4]
用于半导体器件的仿真方法、电子设备及存储介质 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN119782826B ,2025-07-18
[5]
用于半导体器件的仿真方法、电子设备及存储介质 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN119782826A ,2025-04-08
[6]
用于半导体器件的仿真方法、电子设备及存储介质 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN119761276A ,2025-04-04
[7]
用于半导体器件的仿真方法、电子设备及存储介质 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN119761276B ,2025-07-01
[8]
用于离子注入仿真的方法、电子设备及存储介质 [P]. 
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN119989740A ,2025-05-13
[9]
用于离子注入仿真的方法、电子设备及存储介质 [P]. 
请求不公布姓名 ;
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN119989740B ,2025-07-18
[10]
半导体工艺方法、半导体器件、电子设备 [P]. 
冯鹏 ;
苏帅 ;
马骋 ;
唐永军 ;
魏巍 ;
张亚文 .
中国专利 :CN120882069A ,2025-10-31