用于半导体器件的仿真方法、电子设备及存储介质

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510267351.7

申请日：

2025-03-06

公开(公告)号：

CN119782826B

公开(公告)日：

2025-07-18

发明(设计)人：

请求不公布姓名

申请人：

全芯智造技术有限公司

申请人地址：

230088 安徽省合肥市高新区创新大道2800号创新产业园二期J2C栋13楼

IPC主分类号：

G06F18/214

IPC分类号：

G06N3/0464 G06N3/084

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

张宁;潘树志

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G06F 18/214申请日:20250306
2025-07-18	授权	授权
2025-04-08	公开	公开

共 50 条

[1]

用于半导体器件的仿真方法、电子设备及存储介质 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN120995104A ,2025-11-21

[2]

用于半导体器件的仿真方法、电子设备及存储介质 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119782826A ,2025-04-08

[3]

用于半导体器件的仿真方法、电子设备及存储介质 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119761276A ,2025-04-04

[4]

用于半导体器件的仿真方法、电子设备及存储介质 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119761276B ,2025-07-01

[5]

用于半导体工艺器件仿真的方法、电子设备及存储介质 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119203274A ,2024-12-27

[6]

用于半导体工艺器件仿真的方法、电子设备及存储介质 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119203274B ,2025-03-04

[7]

半导体器件的仿真方法、装置、设备及存储介质 [P].

赵东艳 ;

邓永峰 ;

刘芳 ;

吴波 ;

李君建 ;

王凯 ;

章明瑞 ;

吴祖谋 ;

蒋天浩 ;

张同 ;

董子斌 .

中国专利 :CN119578357A ,2025-03-07

[8]

用于半导体工艺器件仿真的方法、模型、电子设备及存储介质 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119150390A ,2024-12-17

[9]

半导体器件电性参数预测方法、电子设备和存储介质 [P].

邱茹蒙 ;

马姣 ;

许可 ;

黄奕泉 ;

陈健 .

中国专利 :CN120197521B ,2025-09-02

[10]

半导体器件电性参数预测方法、电子设备和存储介质 [P].

邱茹蒙 ;

马姣 ;

许可 ;

黄奕泉 ;

陈健 .

中国专利 :CN120197521A ,2025-06-24

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